Безопасность цифровых технологий

БЕЗОПАСНОСТЬ ЦИФРОВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ

БЕЗОПАСНОСТЬ
ЦИФРОВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ

English | Русский

Последний выпуск
№1(112) январь - март 2024

Исследование интерфейса внедрения физических моделей в среде TCAD Sentaurus

Выпуск № 3 (98) Июль - Сентябрь 2020
Авторы:

Кузнецов Максим Андреевич,
Калинин Сергей Васильевич,
Черкаев Алексей Сергеевич,
Остертак Дмитрий Иванович
DOI: http://dx.doi.org/10.17212/2307-6879-2020-3-39-48
Аннотация

В настоящее время приложение SDevice пакета программ TCAD Sentaurus представляет собой надежное средство электрофизического моделирования кремниевых КМОП транзисторов, работающих в области температур –60…+125 °С. Для адаптации процесса моделирования к конкретным физическим условиям работы приборов в этом приложении имеется обширная библиотека моделей электрофизических параметров (в част-ности, моделей подвижностей или ширины запрещенной зоны). Однако при работе прибора в экстремальных криогенных условиях возникает потребность доработки этих моделей с помощью специального интерфейса Physical Model Interface (PMI). В работе представлены методические особенности работы с PMI и результаты внедрения пользовательских моделей параметров для кремниевых приборов.


Ключевые слова: TCAD Sentaurus, SDevice, Physical Model Interface, PMI, модель, подвижность

Список литературы

1. Synopsys Inc. Sentaurus Device User Guide: Version M-2016.12. – December 2016.



2. Петросянц К.О. Состояние работ в области моделирования полупроводниковых компонентов с учетом влияния радиации и температуры // Наноиндустрия. – 2018. – № 82. – С. 42–45.



3. Dorckel J.M., Leturcq P.H. Carrier mobilities in silicon semi-empiriccally related to temperature, doping and injection level // Solid-State Electronis. – 1981. – Vol. 24, N 9. – P. 821–825.



4. Резевиг В.Д. Применение программ P-CAD и PSpice для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. Вып. 2. Модели компонентов аналоговых устройств. – М.: Радио и связь, 1992. – 64 с.



5. Green M.A. Intrinsic concentration, effective density of states, and effective mass in silicon // Journal of Applied Physics. – 1990. – Vol. 67. – P. 2944–2954.

Для цитирования:

Исследование интерфейса внедрения физических моделей в среде TCAD SENTAURUS / М.А. Кузнецов, С.В. Калинин, А.С. Черкаев, Д.И. Остертак // Сборник научных трудов НГТУ. – 2020. – № 3 (98). – С. 39–48. – DOI: 10.17212/2307-6879-2020-3-39-48.

For citation:

Kuznetsov M.A., Kalinin S.V., Cherkaev A.S., Ostertak D.I. Issledovanie interfeisa vnedreniya fizicheskikh modelei v srede TCAD SENTAURUS [Investigating physical model interface in the TCAD Sentaurus environment]. Sbornik nauchnykh trudov Novosibirskogo gosudarstvennogo tekhnicheskogo universiteta = Transaction of scientific papers of the Novosibirsk state technical university, 2020, no. 3 (98), pp. 39–48. DOI: 10.17212/2307-6879-2020-3-39-48. (In Russian)

Просмотров: 1033