Obrabotka Metallov 2023 Vol. 25 No. 3

ОБРАБОТКА МЕТАЛЛОВ Том 25 № 3 2023 72 ОБОРУДОВАНИЕ. ИНСТРУМЕНТЫ 3,5 2,5 2,0 qs, 10 8 Вт/м2 0,06 0,07 0,08 0,09 VS, м/с 0,25 1,5 0,05 3,0 4,0 Ψ(VS, qS) 0,27 0,29 0,31 0,33 0,26 0,28 0,30 0,32 Рис. 9. Зависимость удельной мощности источника от его скорости движения при закалке ВЭН ТВЧ стали У10А на глубину 0,52 мм. * Уровень микротвердости поверхностного слоя детали, достигнутый после перехода «поверхностная закалка ВЭН ТВЧ» Fig. 9. The dependence of specifi c power of the source on its speed while HEH HFC hardening steel U10 to a depth of h = 0.52 mm. * The level of microhardness of the surface layer of the part, achieved after the operation “Surface hardening by HEH HFC” Рис. 8. Функциональная зависимость Ψ(qS, VS) для стали У10А Fig. 8. Functional dependence Ψ(qS, VS) for U10A steel для достижения только заданной глубины упрочненного слоя. Для достижения в процессе поверхностной закалки ВЭН ТВЧ требуемой глубины упрочненного слоя h = 0,52 мм необходимо выбрать режимные параметры в диапазоне, ограниченном точками A и B на кривой (рис. 9). Эти параметры включают в себя удельную мощность qS, которая будет находиться в диапазоне от 2,09 · 108 до 2,49 · 108 Вт/м2, а скорость перемещения источника VS будет составлять от 66 до 73 мм/с. Указанные режимы обработки гарантируют достижение требуемой глубины закалки и оптимальную величину переходной зоны. Поскольку закалка ВЭН ТВЧ выполняется за одну установку заготовки, то вспомогательное время равно 0 с. Расчет производительности и энергозатрат на переходе «поверхностная закалка ВЭН ТВЧ» выполняется с использованием следующих формул: ØÒ Ï S V L = ; ØÒ Ý Ï S S S S S q bR q bR L V = = , где L = 614 мм (см. рис. 3); b = 10 мм (см. рис. 2). Табл. 2 содержит результаты расчета энергозатрат и производительности для всех сочетаний режимных параметров при термоупрочнении детали. В результате анализа можно сделать вывод о том, что применение интегральной обработки позволяет значительно увеличить производительность поверхностной закалки ВЭН ТВЧ по сравнению с существующей технологией на

RkJQdWJsaXNoZXIy MTk0ODM1