The structure, phase composition, and residual stresses of diffusion boride layers formed by thermal-chemical treatment on the die steel surface

OBRABOTKAMETALLOV Vol. 23 No. 2 2021 155 MATERIAL SCIENCE Рис . 9. Изображение боридного слоя , полученное на РЭМ : а – 950 ° С , 2 ч ; б – 1050 ° С , 2 ч Fig. 9. SEM image of the boride layer: а – 950 ° С , 2 h; б – 1050 ° С , 2 h а б Т а б л и ц а 3 Ta b l e 3 Концентрация элементов в поверхностном слое образца после ХТО при температуре 950 ° С , масс . % * Concentration of elements in the surface layer of the sample after TCT at a temperature of 950 ° С , wt. % * Спектр / Spectrum B C V Cr Fe W Итог / Result Спектр 1 / Spectrum 1 6 4.9 0.3 8.3 77.8 2.7 100.00 Спектр 2 / Spectrum 2 – 5.4 0.7 9.3 72.1 12.5 100.00 Спектр по линии (1) / Linear spectrum (1) 6.2 4.3 – 8.8 79.2 1.5 100.00 Спектр по линии (2) / Linear spectrum (2) 1.9 6.1 – 9.8 68.8 13.4 100.00 Спектр по линии (3) / Linear spectrum (3) 3.1 6 – 7.9 80 3 100.00 Спектр по линии (4) / Linear spectrum (4) – 8 – 11.2 78 2.8 100.00 Спектр по линии (5) / Linear spectrum (5) – 8.6 – 10.8 72.1 8.5 100.00 * Количественный анализ дан для отражения измерения концентраций элементов по глубине слоя . Действительные значения невозможно представить РСМА анализом с энергодисперсионным спектрометром . * Quantitative analysis is given to re fl ect the concentration variation depending on the distance from the surface. The actual values are not possible to de fi ne by EDS analysis. и в спектре по линии 1. Содержание бора после обработки при 1050 ° С возросло до 11 %. В обо - их температурных режимах выявлено повышен - ное содержание хрома , что не отражает действи - тельности и связано с особенностями съемки при относительно низком ускоряющем напряжении для выявления легких элементов , например бора . Содержание вольфрама в диффузионном слое ва - рьируется в диапазоне от 1 до 13 %, что говорит о его неоднородном распределении в слое , на ми - кроструктуре он представлен в виде светлых кар - бидных включений размером до 1 мкм ( рис . 9, а ).