Obrabotka Metallov. 2017 no. 3(76)

ОБРАБОТКА МЕТАЛЛОВ № 3 (76) 2017 46 МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ ение покрытий B 4 C-Ni-P изучали при помощи просвечивающей электронной микроскопии. На рис. 4 представлено изображение различных участков плазменных покрытий. В результате анализа полученных изображений было выяв- лено, что керамические частицы В 4 С окруже- ны тонкими прослойками шириной до 1 мкм (рис. 4, а ). Присутствие этих прослоек свиде- тельствует о надежном сцеплении частиц кар- бида бора с металлической матрицей. Более детальный анализ позволил выявить, что ха- рактерной особенностью материала прослоек является наличие округлых участков с кристал- лической структурой размерами менее 10 мкм, расположенных в аморфной матрице (рис. 4, б ). Анализ электронограммы, полученной при ис- следовании материала прослойки, подтверждает наличие аморфно-кристаллической структуры: хорошо видно широкое диффузное кольцо, а так- же точечные рефлексы от кристаллических фаз. Участки, скорость охлаждения которых была ниже, характеризуются нанокристаллической структурой, что подтверждается соответствую- щей электронограммой (рис. 4, в ). Видно, что размеры зерен составляют менее 20 нм. Различ- ный контраст между зернами указывает на то, что они имеют разные кристаллографические ориентации. На рис. 4, г приведено изображение структуры, сформированной в условиях одно- временного воздействия высоких степеней пере- Рис. 4. Особенности тонкой структуры плазменных покрытий В 4 С-Ni-Р: а – частица В 4 С и прослойка; б – светлопольное изображение и дифракционная картина материала прослойки; в – светлопольное изображение и дифракционная картина наноструктурированного участка металлической матрицы; г – светло- польное изображение столбчатой структуры Fig. 4. The feature of fine structure of В 4 С-Ni-Р plasma coatings: а – В 4 С particle and interlayer; б – bright field image and electron diffraction of inter- layer; в – bright field image and electron diffraction of metal matrix; г – bright field image of columnar structure а б в г

RkJQdWJsaXNoZXIy MTk0ODM1