Obrabotka Metallov 2013 No. 3

ОБРАБОТКА МЕТАЛЛОВ № 3 (60) 2013 100 МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ ние распыления, что сказывается и на скорости, и на качестве травления (рис. 3). На рис. 4, а и б приведены зависимости глубины травления от времени травления при токах ионного пучка 1 и 2 нА. Как и в предыдущем случае, при увеличении тока до 5 нА глубина травления практически осталась не- изменной при времени 360 с. На рис. 5 приведены за- висимости глубины травления от тока пучка ионов для трех значений времени травления: 120, 240 и 360 с. Полученные зависимостей глубины травления нитрида кремния ведут себя аналогично зависимо- стям легированного поликремния. Также из гра- фиков, изображенных на рис. 5 видно, что глубина Рис. 4. Зависимость глубины травления нитрида кремния d = 0.2 мкм от времени травления при токе пучка 1 нА ( а ) и 2 нА ( б ) соответственно Рис.5. Зависимости глубины травления нитрида кремния d = 0.2 мкм от тока ионного пучка за 120, 240 и 360 с. Рис. 3. РЭМ-изображение результата травления при заданном времени 600 с. Токи пучка ионов равны: I = 2 нА, I = 5 нА, I = 10 нА, I = 20 нА травления увеличивается намного медленней при увеличении тока пучка от 2 до 5 нА, чем при увели- чении от 1 до 2 нА. Данный спад можно объяснить сильным эффектом распыления нитрида кремния при токах более 2 нА. На рис. 6, а и б приведены зависимости глубины травления от времени процесса при токах ионного пучка 1 и 2 нА. В случае травления фосфоросиликатного стекла при увеличении тока ионного пучка увеличение ско- рости травления от времени уменьшается несуще- ственно, что говорит о том, что эффект распыления в данном случае меньше, чем при травлении нитрида кремния и легированного поликремния. Выводы Результаты экспериментального травления ма- териалов, используемых при изготовлении СБИС, и построенные зависимости глубины травления от времени и зависимости глубины травления от тока сфокусированного ионного пучка позволяют сфор- мировать представление о требуемом времени и