Obrabotka Metallov 2013 No. 3

ОБРАБОТКА МЕТАЛЛОВ № 3 (60) 2013 101 МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ Рис. 6 . Зависимость глубины травления фосфоросиликат- ного стекла на термическом оксиде толщиной d = 0.1 мкм от времени травления для тока пучка 1 нА ( а ) и 2 нА ( б ) соответственно Рис. 7. Зависимости глубины травления фосфоросиликат- ного стекла на термическом оксиде толщиной d = 0.1 мкм от тока ионного пучка для 120, 240 и 360 с. режиме травления корректируемой интегральной схемы. При анализе графиков можно сделать вывод, что для большинства материалов скорость травления есть величина линейная и растет непосредственно в зависимости от времени. Зависимости глубины травления от тока ионного пучка демонстрируют, что при увеличении тока ионного пучка рост скоро- сти травления и качество травления снижаются, что связанно с эффектом распыления и переосаждения материала. На стадии удаления фосфоросиликатного стек- ла и защитного слоя СБИС для ускорения процесса можно ток пучка задавать порядка 5...10 нА. В слу- чае проведения более точных работ для удаления ни- жележащих слоев нитрида кремния или легирован- ного поликремния ток пучка должен быть порядка 1...2 нА. Список литературы 1. Лучинин В.В., Савенко А.Ю., Тагаченков А.М . Ме- тоды микро- и наноразмерной обработки материалов и композиций // Петербургский журнал электроники. – № 2. – 2005. – С. 3–14. 2. Лучинин В.В., Савенко А.Ю . Наноразмерные ионно- лучевые технологии. Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы / под ред. В.В. Лучинина иЮ.М. Та- ирова. – М.: Физматлит, 2006. – С. 284–304. 3. Кузнецова М.А., Лучинин В.В., Савенко А.Ю. Ионно- лучевая технология сверхлокального препарирования ин- тегральных схем // Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Серия «Физика твердого тела и электроника». – 2006. – № 2. – С. 28–35. 4. Volinsky A.A., Rice L., Qin W., Theodore N. D . FIB failure analysis of memory arrays. Microelectronic Enginee- ring. – 2004. – № 75. – P. 3–11. 5. Топякова М. В., Васильев В. Ю., Величко А. А . Кор- рекция cубмикронных многоуровневых интегральных микросхем с помощью электронно-ионного микроскопа // Сборник трудов междунар. науч. конф. «Электронная тех- ника и технологии». – Харьков, 2012. – Т. 2. – С. 42–43. Obrabotka metallov N 3 (60), July–September 2013, Pages 98-102 Investigation of the ion beam etching of the materials used in micro- and nanotechnologies M. V. Topyakova, A. A. Velichko Novosibirsk State Technical University, Prospekt K. Marksa, 20, Novosibirsk, 630073, Russia E-mail: topyakova@gmail.com