ОБРАБОТКА МЕТАЛЛОВ Том 27 № 2 2025 106 ОБОРУДОВАНИЕ. ИНСТРУМЕНТЫ Микроструктура MMC Al-SiC, полученная методом сканирующей электронной микроскопии (СЭМ) при увеличении 300×, приведена на рис. 1. На рис. 2, а и б показаны пластина из MMC Al-SiC и твердосплавное сверло с PVDпокрытием, используемое в исследовании. Тип твердосплавного сверла с PVD-покрытием – SD1105A-0680-043-08R1, угол при вершине составляет 140°, а диаметр – 8 мм. Сверло покрыто полированным слоем AlCrN. Покрытие AlCrN характеризуется высокой абразивной стойкостью, твердостью и адгезией, а также способствует эффективному отводу стружки [27]. Операция сверления выполнялась на вертикальном обрабатывающем центре (серия BMV 60+), обеспечивающем высокую точность и стабильную производительность при высокой подаче и скорости резания. На рис. 3, а представлен беспроводной датчик силы Spike с держателем инструмента. Этот датчик, интегрированный в держатель, использовался для измерения силы резания, крутящего и изгибающего моментов непосредственно в зоне обработки. Данные передавались по беспроводной сети на приемник. Специализированное программное обеспечение осуществляло обработку данных и визуализацию результатов. Как показано на рис. 3, б, система минимального количества смазки (MQL), примененная в эксперименте, включает в себя два входных канала и один выходной, объединяющиеся в камере смешивания. Один из входных каналов подключен к воздушному компрессору, а другой – к емкости с разработанной нано-смазочно-охлаждающей жидкостью. За счет давления сжатого воздуха масло из емкости подается в виде Т а б л и ц а 1 Ta b l e 1 Свойства обрабатываемых материалов Properties of the machined materials Workpiece / Образец Properties / Свойства Коэффициент термического расширения, К−1 / Thermal coeffi cient of expansion (K−1) Удельная теплоемкость, Дж/(кг·К) / Specifi c heat, (J/kg∙K) Теплопроводность (Вт/(м·К)) / Thermal conductivity, (W/ m∙K) Плотность, кг/м3 / Density, (kg/m3) Температура плавления, К / Melting point, (K) Al/SiCp/10 % 20,7 879 156 2,710 828 Al/SiCp/20 % 17,46 837 150 2,765 828 Al/SiCp/30 % 14,58 795 144 2,798 828 а б в Рис. 1. SEM-микрофотографии Al/SiC MMC при объемной доле SiC: а – 10 %; б – 20 %; в – 30 % Fig. 1. SEM micrographs of Al/SiC MMC at SiC volume fractions of: а – 10 %; б – 20 %; в – 30 %
RkJQdWJsaXNoZXIy MTk0ODM1