Актуальные проблемы в машиностроении. Том 12. № 3-4. 2025 Технологическое оборудование, оснастка и инструменты ____________________________________________________________________ 51 повторяемостью ≤ 0,00011⁰ (~ 0,396’’ = 1,92 мкрад). Вращение кристаллов обеспечивает диапазон энергий 10 – 30 кэВ. В режиме настройки обеспечивается перпендикулярное расположение оси вращения гониометра (оси вращения кристалла) относительно пучка СИ, вертикальные перемещения горизонтальной оси гониометра для совмещения ее с пучком (рис. 5). Настройка по рысканию и перемещение вакуумного объема поперек пучка, обеспечивается посредством рычагов (регулировка 1). Линейная координата по высоте обеспечивается клиновыми домкратами (регулировка 2) и снятием слоя металла с подкладок (регулировка 3). Рис.5. Регулировка расположения кристаллов: a – режим настройки: 1– для настройки по рысканию и поперечному перемещению; 2, 3 – для регулировки по высоте; б – режим наладки: 4, 5, 8 – для совмещения оси вращения первого кристалла с осью гониометра; 6, 7 – для выставления второго кристалла под первый В режиме юстировки обеспечивается регулировка расположения рабочих поверхностей кристаллов. Для совмещения оси вращения первого кристалла с осью гониометра (регулировка 4, 5) и выставления второго кристалла под первый (регулировка 6, 7). Предусмотрена система точной регулировки для совмещения оси первой ламели с горизонтальной осью гониометра (регулировка 8).
RkJQdWJsaXNoZXIy MTk0ODM1