ОБРАБОТКА МЕТАЛЛОВ Том 28 № 2 2026 60 ТЕХНОЛОГИЯ сварного шва больше, чем при других вариантах. При толщине покрытия 1 мм наблюдается наибольшая глубина сварного шва 2,64 мм. Следующие по величине значения глубины сварного шва получены соответственно при толщине активного флюсового покрытия 3 мм, но уже при токе 140 А. Точная и оптимальная толщина активного флюсового покрытия SiO2 для металла толщиной 3…5 мм находится в диапазоне 0,5…1 мм. Следовательно, увеличение или уменьшение указанной толщины активного флюсового покрытия оказывает существенное влияние на глубину и ширину сварного шва. Когда толщина активного флюсового покрытия превышает точное значение (более 1 мм), зажигание дуги затруднено, что приводит к меньшему проплавлению и ухудшению качества поверхности. Если толщина активного флюсового покрытия меньше точного значения, то существенного улучшения глубины сварного шва не наблюдается. На рис. 9 представлены результаты образцов, обработанных по методу FZ-TIG (сила тока 100 А). a б в г Рис. 9. Поперечные сечения образцов, обработанных методом FZ-TIG (сила тока 100 А): а – оксид кремния; б – оксид титана; в – пыль газоочистки; г – оксид железа Fig. 9. Cross-sections of samples processed by the FZ-TIG method (current 100 A): а – silicon oxide; б – titanium oxide; в – gas cleaning dust; г – iron oxide Разные значения напряжения были зафиксированы при сварке A-TIG и FB-TIG из-за различий в физических свойствах разных флюсов. Сварка FB-TIG, FZ-TIG дает самое высокое напряжение на дуге. Интенсивность нагрева в центре дуги возрастает с увеличением напряжения и экспоненциально уменьшается в радиальном направлении от центра, это приводит к сжатию столба дуги и повышению плотности теплового потока, что существенно влияет на проплавление (рис. 9). Сравнительная оценка разных методов дана на рис. 10. Обсуждение результатов Проведенные нами исследования позволили выделить некоторые новые особенности активирующих флюсов. Так, например, отметим результат (рис. 2) большой глубины проплавления при использовании оксида кремния. Флюс SiO2 обладает самой высокой электроотрицательностью среди всех оксидных флюсов, и благодаря
RkJQdWJsaXNoZXIy MTk0ODM1