Obrabotka Metallov 2014 No. 2

ОБРАБОТКА МЕТАЛЛОВ № 2 (63) 2014 111 МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ а б в г Рис. 2. Влияние обработки расплава влажными асбестовыми тампонами на микроструктуру силу- минов с содержанием 11 и 15 % Si: а, б – 11 % Si, в, г – 15 % Si; а, в – исходный; б, г – после обработки расплава Обработка расплава Al-7 % Si влажными асбестовыми тампонами увеличивает значе- ния ТКЛР при 100…400 °С. Аномальное повы- шение температурного коэффициента линей- ного расширения (на 34 %) наблюдается при 250…300 °С. Возникновение аномалии тепло- вого расширения коррелирует со структурными изменениями, которые наблюдаются после обра- ботки расплава. Продувка шихтового кремния воздухом и об- работка расплава влажными асбестовыми там- понами практически не оказывают влияния на ТКЛР силуминов эвтектического и заэвтектиче- ского состава. Полученные результаты позволяют утверж- дать, что улучшение характеристик микрострук- туры и повышение свойств силуминов в значи- тельной степени зависят от правильного выбора способа и режима наводороживания. Поэтому на следующем этапе данной работы было изучено влияние продувки расплава Al-15 % Si водоро- дом, получаемым при взаимодействии алюминия и щелочи NaOH, в течение различного времени на параметры микроструктуры и температурный коэффициент линейного расширения. Продувку проводили по четырем режимам: при температу- ре 860 ºС в течение 1 и 5 мин и при температуре 900 ºС в течение 10 и 20 мин. Металлографический анализ (при увели- чении ×1000) показал, что наводороживание указанным способом, в отличие от обработ- ки расплава влажными асбестовыми тампона- ми, приводит к образованию мелкодисперсной структуры, характеризующейся тем, что эвтек- тика имеет тонкое строение и наблюдается из- мельчение выделений первичных кристаллов кремнистой фазы (табл. 3 и рис. 3). Результаты количественного металлографи- ческого анализа показывают, что наибольший эффект модифицирования микроструктуры про- является после продувки расплава Al-15 % Si водородом, получаемым при взаимодействии

RkJQdWJsaXNoZXIy MTk0ODM1