Actual Problems in Machine Building 2014 No. 1

I Международная научно-практическая конференция « Актуальные проблемы в машиностроении » Материаловедение в машиностроении ___________________________________________________________________ 485 поверхность труб подвергали пескоструйной обработке. После напыления, для снижения уровня остаточных напряжений в покрытиях, проводили отжиг при температуре 350 °С в течение 3 часов. Металлографические исследования покрытий выполняли на оптическом микроскопе Carl Zeiss AxioObserver A1m и растровом электронном микроскопе Carl Zeiss EVO50 XVP. Измерения микротвердости проводили на твердомере для проведения испытаний по Виккерсу 402. 3. Результаты и обсуждение Изображение частиц порошка Al 2 O 3 приведено на рис. 2. а б в Рис. 2. Частицы порошка Al 2 O 3 : а – до обработки; б – после обработки в плазменной струе с точечным вводом; в – после обработки в плазменной струе с кольцевым вводом порошка. В исходном состоянии частицы имеют колотую форму (рис. 2, а). Порошок после обработки в плазменной струе представлен на рис. 2, б и в. По степени сфероидизации частиц можно судить об эффективности нагрева (плавления) частиц. Проведенные исследования наглядно иллюстрируют преимущества кольцевого ввода порошка. Степень сфероидизации частиц практически 100 % (рис. 2,в). Необходимо отметить, что при точечном вводе порошка на плазмотронах мощностью до 50 кВт напыление керамических покрытий проводится при небольшом расходе плазмообразующего газа (до 1 г/с). Это требуется для того, чтобы увеличить время нахождения тугоплавких, с низкой теплопроводностью частиц в плазменном потоке для полного их проплавления. В случае использования узла кольцевого ввода и при увеличенном расходе плазмообразующего газа (1,5 г/с и более) обеспечивается полное проплавление частиц и существенно большая скорость напыляемого материала, что повышает качество плазменных покрытий. Проведённый ранее эксперимент показал, что при напылении покрытий на одинаковых режимах на одинаковые образцы толщина покрытий при использовании узла кольцевого ввода с