Ли Ирлам Игнатьевич
родился в 1950 году, д-р техн. наук, ведущий научный сотрудник, лаб. № 14, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им.
А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН. Область научных интере-сов: физика полупроводников, микроэлектроника. Опубликовано
80 научных работ, в том числе 39 патентов РФ, АС на изобретение. (Адрес: 630090, Россия, г. Новосибирск, пр. Лаврентьева,
• E-mail: ).
irlamlee@isp.nsc.ru
Orcid:
