ДОКЛАДЫ АКАДЕМИИ НАУК
ВЫСШЕЙ ШКОЛЫ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

В статье авторы кратко рассматривают способ измерения температуры в планарном pn-переходе методом сравнения степени нагретости двух тел. Для этого предлагается сопоставлять термодеформации квазидвумерного p–n-перехода на подложке без теплоотвода с термодеформациями контрольного слоя. Термодеформации регистрируются голографической интерферометрией.

1. Патент 2300855 Российская Федерация. Инжекционное светоизлучающее устройство / А.А. Величко, В.А. Илюшин, Ю.Г. Пейсахович, А.А. Штыгашев. – Заявл. 07.07.2005; опубл. 10.06.2007, Бюл. № 16.
2. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. – М.: Наука, 1990. – 688 с.
3. Ossicini S., Fasolino A., Bernardini F. Gap opening in Si ultra-thin layers: role of confined and interface // Physical Review Letters. – 1994. – Vol. 72. – P. 1044–1047.
4. Расчет потенциала и плотности экранирующего заряда в равновесном симметричном дву­мерном pn-переходе / Ю.Г. Пейсахович, А.А. Штыгашев, Л.А. Борыняк, Н.Ю. Петров // Научный вестник НГТУ. – 2013. – № 4. – С. 97–104.
5. Несимметричный двухмерный p–n-переход в равновесии / Ю.Г. Пейсахович, А.А. Шты­гашев, Л.А. Борыняк, Н.Ю. Петров // Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП-2014): труды 12 международной конференции, Новосибирск, 2–4 октября 2014 г.: в 7 т. – Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2014. – Т. 2. – С. 69–72.
6. Электрическое поле и плотность заряда в плоскости квазиравновесного несим-метричного двумерного p–n-перехода без тока / Ю.Г. Пейсахович, А.А. Штыгашев, Л.А. Борыняк, Н.Ю. Петров // Журнал технической физики. – 2015. – Т. 85, вып. 10. – С. 80–86.
7. Двумерный p–n-переход в равновесии / А.Ш. Ачоян, А.Э. Есаян, Э.М. Казарян, С.Г. Петросян // ФТП. – 2002. – Т. 36, вып. 8. – С. 969–973.
8. Петросян С.Г., Шик А.Я. Контактные явления в электронных системах пониженной размерности // ЖЭТФ. – 1989. – Т. 96, № 6. – С. 2229–2239.
9. Голографический метод исследования термодеформаций объектов микроэлектроники / Л.А. Борыняк, Ю.Г. Пейсахович, Ю.К. Непочатов, Н.Ю. Петров // Автометрия. – 2011. – Т. 47, № 6. – С. 72–81.
10. Патент 2389973, Российская Федерация. Способ изготовления тензорезисторов для измерения деформации плоской поверхности элементов твердотельной электроники / Л.А. Борыняк, Ю.К. Непочатов. – Заявл. 30.07.2008; опубл. 20.05.2010, Бюл. № 14.