ДОКЛАДЫ АКАДЕМИИ НАУК
ВЫСШЕЙ ШКОЛЫ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ISSN: 1727-2769
English | Русский

Последний выпуск
№3(40) июль-сентябрь 2018

Подавление образования дефектных областей вокруг индиевых контактов при отжиге n–p-переходов матричного фотоприемника на основе КРТ

Выпуск № 4 (37) октябрь-декабрь 2017
Авторы:

Протасов Дмитрий Юрьевич,
Новоселов Андрей Рудольфович,
Абдоян Михаил Ехишенович,
Костюченко Владимир Яковлевич
DOI: http://dx.doi.org/10.17212/1727-2769-2017-4-43-51
Аннотация

Исследовано влияние различных покрытий поверхности пленок кадмий-ртуть-теллур, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, на повышение стабильности n–p-переходов на этих пленках при низкотемпературных отжигах. Показано, что в пленках, покрытых слоями SiO2 и Si3N4 при отжиге в диапозоне Т = 90...120 C возле индиевых контактов возникают области повреждений, размеры которых линейно зависят от времени отжига. Использование анодного окисла приводит к подавлению областей повреждений и увеличению стабильности n–p-переходов вследствие замедления образования p+-слоя за счет компенсации испаряющейся при отжиге ртути, высвобождающейся при химических реакциях на границе АО-КРТ.


Ключевые слова: низкотемпературный отжиг, n–p-переход, кадмий-ртуть-теллур, пассивация поверхности.

Список литературы
  1. Gravrand O., Destefanis G. Recent progress for HgCdTe quantum detection in France // Infrared Physics and Technology. – 2013. – Vol. 59. – P. 163–171.
  2. Mid-wave HgCdTe FPA based on P on N technology: HOT recent developments. NETD: dark current and 1/f noise considerations / A. Kerlain, A. Brunner, D. Sam-Giao, N. Pére-Laperne, L. Rubaldo, V. Destefanis, F. Rochette, C. Cervera // Journal of Electronic Materials. – 2016. – Vol. 45, N 9. – P. 4557–4562.
  3. Строгонов А. Оценка долговечности БИС // Технологии в электронной промышленности. – 2007. – № 3. – С. 90–96.
  4. Rogalski A. Infrared detectors. – 2nd ed. – Boca Raton: CRC Press, 2010. – 876 p.
  5. Влияние низкотемпературного отжига на электрофизические параметры пленок n-CdHgTe / П.А. Бахтин, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, А.П. Коробкин, Н.Н. Ми­хайлов, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров // Физика и техника полупроводников. – 2004. – Т. 38, вып. 10. – С. 1207–1210.
  6. Влияние низкотемпературного отжига на электрические и структурные характеристики эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур и марганец-ртуть-теллур / И.М. Нес­мелова, В.Н. Рыжков, В.А. Андреев, Г.Г. Гумаров, В.Ю. Петухов // Прикладная физика. – 2005. – № 6. – С. 125–128.
  7. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона / В.Н. Овсюк, В.В. Васильев, Н.Х. Талипов, Л.Н. Ромашко, А.И. Козлов, А.Г. Клименко, И.В. Марчишин; отв. ред. С.П. Синица. – Новосибирск: Наука, 2001. – 308 с.
  8. Novoselov A.R., Kosulina I.G. Dependence of the sizes of damaged regions around indium contacts top-type CdHgTe on GaAs substrates on the annealing temperature and time // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. – 2012. – Vol. 48, iss. 6. – P. 628–631.
  9. HgCdTe nanostructures on GaAs and Si substrate for IR and THz radiation detecting / M.V. Yakushev, V.S. Varavin, V.V. Vasil'ev, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov, V.A. Shvetz, A.L. Aseev // Journal of Physics: Conference Series. – 2012. – Vol. 345. – P. 012002.
  10. Protasov D.Yu., Trifanov A.V., Kostyuchenko V.Ya. The set of photoelectromagnetic methods for determination of recombination and diffusion parameters of p-MCT thin films // The European Physical Journal Applied Physics. – 2013. – Vol. 62. – P. 30104.
  11. Beck W.A., Anderson J.R. Determination of electrical transport properties using a novel magnetic field-dependent Hall technique // Journal of Applied Physics. – 1987. – Vol. 62, N 2. – P. 541–554.
  12. Влияние отжига под анодным окислом на изменение состава поверхности и конверсию типа проводимости монокристаллов p-CdxHg1-xTe (x=0,2) / Н.Х. Талипов, В.П. Попов, В.Г. Ремесник, З.А. Налькина // ФТП. – 1992. – Т. 26, вып. 2. – С. 310−317.
Благодарности. Финансирование

Авторы благодарят В.В. Васильева за предоставленные пластины с изготовленными n–p-переходами на основе МЛЭ КРТ.

Для цитирования:

Подавление образования дефектных областей вокруг индиевых контактов при отжиге n–p-переходов матричного фотоприемника на основе КРТ / Д.Ю. Протасов, А.Р. Новоселов, М.Е. Абдоян, В.Я. Костюченко // Доклады АН ВШ РФ. – 2017. – № 4 (37). – C. 43–51. doi: 10.17212/1727-2769-2017-4-43-51

For citation:

Protasov D.Yu., Novoselov A.R., Abdoyan M.E., Kostyuchenko V.Ya. Podavlenie obrazovaniya defektnykh oblastei vokrug indievykh kontaktov pri otzhige NP-perekhodov matrichnogo fotopriemnika na osnove KRT [Suppression of damaged areas arising near indium contacts in annealing NP-junctions of MCT-based photodetecror arrays]. Doklady Akademii nauk vysshei shkoly Rossiiskoi Federatsii – Proceedings of the Russian higher school Academy of sciences, 2017, no. 4 (37), pp. 43–51. doi: 10.17212/1727-2769-2017-4-43-51

Просмотров: 409