Исследовано влияние различных покрытий поверхности пленок кадмий-ртуть-теллур, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, на повышение стабильности n–p-переходов на этих пленках при низкотемпературных отжигах. Показано, что в пленках, покрытых слоями SiO2 и Si3N4 при отжиге в диапозоне Т = 90...120 C возле индиевых контактов возникают области повреждений, размеры которых линейно зависят от времени отжига. Использование анодного окисла приводит к подавлению областей повреждений и увеличению стабильности n–p-переходов вследствие замедления образования p+-слоя за счет компенсации испаряющейся при отжиге ртути, высвобождающейся при химических реакциях на границе АО-КРТ.
Авторы благодарят В.В. Васильева за предоставленные пластины с изготовленными n–p-переходами на основе МЛЭ КРТ.
Подавление образования дефектных областей вокруг индиевых контактов при отжиге n–p-переходов матричного фотоприемника на основе КРТ / Д.Ю. Протасов, А.Р. Новоселов, М.Е. Абдоян, В.Я. Костюченко // Доклады АН ВШ РФ. – 2017. – № 4 (37). – C. 43–51. doi: 10.17212/1727-2769-2017-4-43-51
Protasov D.Yu., Novoselov A.R., Abdoyan M.E., Kostyuchenko V.Ya. Podavlenie obrazovaniya defektnykh oblastei vokrug indievykh kontaktov pri otzhige NP-perekhodov matrichnogo fotopriemnika na osnove KRT [Suppression of damaged areas arising near indium contacts in annealing NP-junctions of MCT-based photodetecror arrays]. Doklady Akademii nauk vysshei shkoly Rossiiskoi Federatsii – Proceedings of the Russian higher school Academy of sciences, 2017, no. 4 (37), pp. 43–51. doi: 10.17212/1727-2769-2017-4-43-51