На основании существующей физической модели (с учетом ряда ранее установленных экспериментальных допущений) протонной релаксации строится и исследуется квантовое кинетическое уравнение, описывающее, совместно с операторным уравнением Пуассона, механизм диффузионного туннельного переноса ионов водорода (протонов) в потенциальном поле кристаллической решетки, возмущенной поляризующим полем (квантовая диффузионная поляризация) в кристаллах с водородными связями. Расчет измеряемой в эксперименте величины поляризации кристалла проводится путем полного квантово-механического усреднения оператора поляризации с помощью неравновесной матрицы плотности, вычисляемой для ансамбля невзаимодействующих протонов, без учета протон-фононного взаимодействия, причем фононная подсистема (в данной модели) представляет собой слабое пространственно-однородное силовое поле, воздействующее на релаксаторы (протоны) на фоне основных сил водородных связей. Равновесная матрица плотности вычисляется с помощью квантовой статистики Больцмана. Исследуется влияние параметров электрического поля (амплитуда и частота электродвижущей силы) и температур на нелинейные свойства спектров комплексной диэлектрической проницаемости в широком диапазоне варьирования толщины кристаллического слоя. Теоретически, в КВС обнаружены размерные эффекты, проявляющиеся в смещениях низкотемпературных (50–100 К) максимумов тангенса угла диэлектрических потерь в сторону сверхнизких температур (4–25 К) с уменьшением амплитуд максимумов на три-четыре порядка, при сокращении толщины кристаллического слоя от 1–10 мкм до 1–10 нм. Установлено, что аномально высокие квантовые прозрачности потенциального барьера для протонов (0,8–0,9) в тонких пленках кристаллов с водородными связями (1–10 нм) обуславливают вблизи температур смещенных максимумов диэлектрических потерь (4–25 К) квазисегнетоэлектрическое состояние, характеризуемое также аномально высокими значениями вещественной компоненты комплексной диэлектричесой проницаемости (2,5–3,5 млн). При этом мнимая компонента комплексной диэлектрической проницаемости существенно не изменяется и мала по величине (0,06–0,08). Как и все сегнетоэлектрики с водородными связями, кристаллы онотского талька и гипса описываются прямоугольной петлей гистерезиса.
Калытка В.А., Алиферов А.И., Коровкин М.В., Мехтиев А.Д., Мади П.Ш. Квантовые свойства диэлектрических потерь в нанометровых слоях твердых диэлектриков при сверхнизких температурах // Доклады АН ВШ РФ. – 2021. – № 2 (51). – C. 14–33 – doi: 10.17212/1727-2769-2021-2-14-33
Kalytka V.A., Aliferov A. I., Korovkin M.V., Mehtiyev A.D., Madi P.Sh. Kvantovye svoistva dielektricheskikh poter' v nanometrovykh sloyakh tverdykh dielektrikov pri sverkhnizkikh temperaturakh [Quantum properties of dielectric losses in nanometer layers of solid dielectrics at ultra-low temperatures]. Doklady Akademii nauk vysshei shkoly Rossiiskoi Federatsii = Proceedings of the Russian higher school Academy of sciences, 2021, no. 2 (51), pp. 14–33. DOI: 10.17212/1727-2769-2021-2-14-33.