Доклады АН ВШ РФ

ДОКЛАДЫ АКАДЕМИИ НАУК
ВЫСШЕЙ ШКОЛЫ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Print ISSN: 1727-2769    Online ISSN: 2658-3747
English | Русский

Последний выпуск
№1(66) январь - март 2025

Методы увеличения уровня входной мощности в многоэлементных пленочных СВЧ аттенюаторах

Выпуск № 3 (52) июль-сентябрь 2021
Авторы:

Митьков Александр Сергеевич,
Разинкин Владимир Павлович,
Хрусталев Владимир Александрович
DOI: http://dx.doi.org/10.17212/1727-2769-2021-3-32-43
Аннотация

В работе описаны принципы построения многоэлементных широкополосных СВЧ аттенюаторов высокого уровня мощности на пленочных резисторах. Предложенные подходы позволяют в несколько раз увеличить уровень входной мощности или при неизменной входной мощности существенно расширить полосу рабочих частот. Исследованные аттенюаторы с вносимым ослаблением 1-10 дБ обеспечивают высокое качество согласования в полосе частот 0…2 ГГц при уровне входной мощности до 500 Вт. Данные параметры получены за счет введения четвертьволновых отрезков линий передачи с определенным волновым сопротивлением в продольные и поперечные ветви согласованных П-образных и Т- образных диссипативных структур.


Ключевые слова: СВЧ аттенюатор, пленочный резистор, согласование, линия передачи, вносимое ослабление
Для цитирования:

Митьков А.С., Разинкин В.П., Хрусталев В.А. Методы увеличения уровня входной мощности в многоэлементных пленочных СВЧ аттенюаторах  // Доклады АН ВШ РФ. – 2021. – № 3 (52). – C. 32–43 – doi: 10.17212/1727-2769-2021-3-32-43

Просмотров: 687