ДОКЛАДЫ АКАДЕМИИ НАУК
ВЫСШЕЙ ШКОЛЫ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Аннотация
Электромагнитное излучение используется в технологических установках и при проведении боевых операций. Электромагнитный импульс известен как один из поражающих факторов, наносящих существенный урон электронному оборудованию противника. Моделирование результатов воздействия электромагнитного импульса на элементы микроэлектроники является актуальной задачей, поскольку позволяет разрабатывать радиоэлектронное оборудование с повышенной стойкостью к воздействию этого вида электромагнитного излучения. Основной механизм повреждения полупроводниковых приборов связан с местным нагревом материалов. С переходом элементной базы радиоэлектроники в нанодиапазон характерных размеров возрастает деструктивная роль диффузионных процессов, протекающих при сравнительно небольших температурах. Предложена методика оценки выживаемости элементов микроэлектроники при тепловом воздействии. Методика основана на учете зависимости коэффициента диффузии от характерного размера элементов микроэлектроники. Показано, что в нанодиапазоне характерных размеров значительно ускоряются диффузионные процессы. Проверка адекватности модели проведена путем оценки стойкости к тепловому воздействию диффузионного барьера Ta–Cu и сопоставления полученных результатов с экспериментальными данными. Проведена оценка стойкости к воздействию электромагнитного импульса элементов микроэлектроники, изготовленных из новых материалов. Установлено, что перспективные материалы для изготовления элементов микроэлектроники военного назначения должны обладать сравнительно высокой температурой плавления, низкой диффузионной подвижностью и слабой зависимостью физических свойств от температуры. Показано, что к перспективным материалам относятся графен и его производные. 

Список литературы

1. Рикетс Л.У., Бриджес Дж.Э., Maйлeттa Дж. Электромагнитный импульс и методы защиты. – М.: Атомиздат, 1979. – 328 с. 
2. Chernyshev A.P. Effect of hydrostatic pressure on selfdiffusion in metal nanoparticles // Physica: E: Lowdimensional Systems and Nanostructures. – 2009. – Vol. 41, iss. 10. – P. 1738–1740. – doi: 10.1016/j.physe.2009.05.001. 
3. Chernyshev A.P. Effect of pressure on melting and solidification of metal nanoparticles // Physics Letters A. – 2009. – Vol. 373, iss. 11. – P. 1070–1073. – doi: 10.1016/j.physleta. 2009.01.031. 
4. Кан Р.У., Хаазен П. Физическое металловедение: в 3 т. Т. 1. – М.: Металлургия, 1987. – 640 с. 
5. Thermal stability of a Cu/Ta multilayer: an intriguing interfacial reaction / H.J. Lee, K.W. Kwon, C. Ryu, R. Sinclair // Acta Materialia. – 1999. – Vol. 47, iss. 15. – P. 3965–3975. 
6. Ouyang G., Wang C.X., Yang G.W. Anomalous interfacial diffusion in immiscible metallic multilayers: a sizedependent kinetic approach // Applied Physics Letters. – 2005. – Vol. 86, iss. 17. – Art. 171914. 
7. Сорокин П.Б., Чернозатонский Л.А. Полупроводниковые структуры на основе графена // Успехи физических наук. – 2013. – Т. 183, № 2. – С. 113–132. 
8. Melting of graphene: from two to one dimension / K.V. Zakharchenko, A. Fasolino, J.H. Los, M.I. Katsnelson // Journal of Physics: Condensed Matter. – 2011. – Vol. 23, № 20. – Art. 202202. – doi: 10.1088/0953-8984/23/20/202202. 
9. Xie Z.-X., Chen K.-Q., Duan W. Thermal transport by phonons in zigzag graphene nanoribbons with structural defects // Journal of Physics: Condensed Matter. – 2011. – Vol. 23, № 31. – Art. 315302. 
10. Areshkin D.A., White C.T. Building blocks for integrated graphene circuits // Nano Letters. – 2007. – Vol. 7, № 11. – P. 3253–3259. – doi: 10.1021/nl070708c. 

Просмотров аннотации: 2174
Скачиваний полного текста: 998
Просмотров интерактивной версии: 0