Доклады АН ВШ РФ

ДОКЛАДЫ АКАДЕМИИ НАУК
ВЫСШЕЙ ШКОЛЫ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Print ISSN: 1727-2769    Online ISSN: 2658-3747
English | Русский

Последний выпуск
№4(65) октябрь - декабрь 2024

Определение потенциала развития микроэлектроники в новосибирской области на основе анализа патентных портфелей организаций

Выпуск № 3 (64) июль - сентябрь 2024
Авторы:

Филатова Светлана Геннадьевна,
Вострецов Алексей Геннадьевич,
Проценко Наталья Викторовна,
Гонжара Татьяна Викторовна
DOI: http://dx.doi.org/10.17212/1727-2769-2024-3-43-56
Аннотация

Широкое использование микроэлектроники в различных областях науки и техники – в современных системах управления, радиотехнических устройствах, приборах и средствах автоматизации в промышленности, сельском хозяйстве, на транспорте, для оборонных целей – обусловливает первоочередную необходимость развития этой сферы. Стратегия развития электронной промышленности РФ до 2030 года сфокусирована в том числе на продвижении российской электроники на существующие и международные рынки, что сопряжено в первую очередь с необходимостью правовой защиты разработок. Патентные документы являются объективным критерием оценки потенциала развития технологий. В статье оценивается динамика научных публикаций и патентования в сфере микроэлектроники в Новосибирской области, в России и в мире. Данная сфера является достаточно зрелой, количество научных публикаций и патентов в мире выросло за последние 20 лет незначительно. Наблюдается уменьшение количества российских патентов в целом, и патентов, правообладателями которых являются организации, зарегистрированные на территории Новосибирской области в частности. Это является результатом ухудшения политической обстановки в мире. Введение экономических санкций против Российской Федерации стало причиной, по которой зарубежные компании вынуждены были прекратить инвестиции как в исследования и разработки, так и в производство российской электроники. Некоторые российские компании в этих обстоятельствах перешли к охране своих разработок в режиме коммерческой тайны. Также выявлены основные правообладатели и установлены ученые-носители технологий, которые работают в организациях электронной промышленности, зарегистрированных в рассматриваемом регионе. Произведен анализ уровня развития микроэлектронных технологий в Новосибирской области, который показал, что он соответствует мировому.


Ключевые слова: импортозамещение, микроэлектроника, патентная аналитика

Список литературы
  1. Стратегия развития электронной промышленности Российской Федерации на период до 2030 года: утв. распоряжением Правительства Российской Федерации от 17.01.2020 № 20-р.
  2. Петрова Е.А. Кризисы отечественной электроники и проблемы импортозамещения // Стратегии развития социальных общностей, институтов и территорий: материалы VIII Международной научно-практической конференции. В 2 т. Т. 1. – Екатеринбург, 2022. – С. 62–66. – URL: https://elar.urfu.ru/bitstream/10995/116518/1/978-5-7996-3498-8_2022_014.pdf (дата обращения: 23.10.2024).
  3. Большая политехническая энциклопедия / авт.-сост. В.Д. Рязанцев. – М.: Мир и образование, 2011. – 704 с.
  4. Росэлектроника: РОСЭЛ: сайт. – URL: https://www.ruselectronics.ru/ (дата обращения: 27.09.2024).
  5. ОК 029–2014 (КДЕС Ред. 2). Общероссийский классификатор видов экономической деятельности (утв. приказом Росстандарта от 31.01.2014 № 14-ст) (ред. от 16.08.2024).
  6. ФИПС. Международная патентная классификация: сайт. – URL: https://www.fips.ru/ publication-web/classification/mpk?view=list (дата обращения: 24.10.2024).
  7. Ральченко В., Конов В. CDV-алмазы. Применение в электронике // Электроника: Наука, технология, бизнес. – 2007. – № 4 (78). – С. 58–67.
  8. Патент № 2773679 Российская Федерация. Способ охлаждения электронного оборудования с использованием комбинированных потоков газа и микрокапель: № 2021139139: заявл. 28.12.2021: опубл.07.06.2022, Бюл. № 16 / Кабов О.А., Чеверда В.В., Пуховой М.В., Сибиряков Н.Е., Быковская Е.Ф. – 10 с.
  9. Патент № 2781758 Российская Федерация. Испарительно-конденсационная газожидкостная система охлаждения электронного оборудования: № 2021138791: заявл. 25.12.2021: опубл. 17.10.2022, Бюл. № 29 / Кабов О.А. – 10 с.
  10. Патент № 2816279 Российская Федерация. Система охлаждения электронного оборудования со смесью пара и неконденсируемого газа: № 2023125482: заявл. 05.10.2023: опубл. 28.03.2024, Бюл. № 10 / Кабов О.А., Зайцев Д.В., Быковская Е.Ф. – 10 с.
  11. Патент № 209911 Российская Федерация. Криогенный малошумящий СВЧ-усилитель: № 2021134863: заявл. 29.11.2021: опубл. 23.03.2022, Бюл. № 9 / Вольхин Д.И., Новиков И.Л., Вострецов А.Г. – 10 с.
  12. Volkhin D.I., Novikov I.L., Vostretsov A.G. Cryogenic low-noise amplifier 1-3GHz // 24 International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM): proceedings, Novosibirsk, 29 June – 3 July 2023. – Novosibirsk: IEEE, 2023. – P. 800–803. – DOI: 10.1109/EDM58354.2023.10225128.
  13. Патент № 2749028 Российская Федерация. Способ получения активной структуры элемента энергонезависимой резистивной памяти: № 2020125960: заявл. 29.07.2020: опубл. 07.09.2021, Бюл. № 25 / Камаев Г.Н., Гисматулин А.А., Володин В.А., Гриценко В.А. – 28 с.
  14. Патент № 2779436 Российская Федерация. Способ получения активного слоя для бесформовочного элемента энергонезависимой резистивной памяти: № 2021139274: заявл. 27.12.2021: опубл. 07.09.2022, Бюл. № 25 / Алиев В.Ш., Воронковский В.А., Герасимова А.К., Гриценко В.А. – 20 с.
  15. Патент № 2812881 Российская Федерация. Способ получения активного слоя элемента энергонезависимой резистивной памяти: № 2023125731: заявл. 06.10.2023: опубл. 05.02.2024, Бюл. № 4 / Камаев Г.Н., Новиков Ю.Н., Володин В.А., Гриценко В.А. – 29 с.
Благодарности. Финансирование

Публикация подготовлена в рамках НИР «Методология исследования и оценки потенциала развития технологий в электронной промышленности Новосибирской области с использованием патентного скрининга и анализа патентной активности: перспективы применения в других регионах РФ», шифр 3-ЭП-2024. Публикация подготовлена при частичной поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, проект no. FSUN-2023-0007

Для цитирования:

Филатова С.Г., Вострецов А.Г., Проценко Н.В., Гонжара Т.В. Определение потенциала развития микроэлектроники в новосибирской области на основе анализа патентных портфелей организаций // Доклады АН ВШ РФ. – 2024. – № 3 (64). – C. 43–56 – doi: 10.17212/1727-2769-2024-3-43-56

For citation:

Filatova S.G., Vostretsov A.G., Protsenko N.V., Gonzhara T.V. Opredelenie potentsiala razvitiya mikroelektroniki v Novosibirskoi oblasti na osnove analiza patentnykh portfelei organizatsii [Investigation of the potential for the development of microelectronics in the Novosibirsk region based on the analysis of patent portfolios of organizations]. Doklady Akademii nauk vysshei shkoly Rossiiskoi Federatsii = Proceedings of the Russian higher school Academy of sciences, 2024, no. 3 (64), pp. 43–56. DOI: 10.17212/1727-2769-2024-3-43-56.

Просмотров: 74