Доклады АН ВШ РФ

ДОКЛАДЫ АКАДЕМИИ НАУК
ВЫСШЕЙ ШКОЛЫ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Print ISSN: 1727-2769    Online ISSN: 2658-3747
English | Русский

Последний выпуск
№3(68) июль - сентябрь 2025

Тенденции развития пассивной электроники

Выпуск № 3 (68) июль - сентябрь 2025
Авторы:

Филатова Светлана Геннадьевна ,
Вострецов Алексей Геннадьевич ,
Бузук Игорь Валерьевич ,
DOI: http://dx.doi.org/10.17212/1727-2769-2025-3-45-61
Аннотация

Пассивные электронные компоненты, к которым относятся конденсаторы, резисторы, катушки индуктивности и связанные с ними устройства, являются незаменимыми составными частями всех электронных схем. Основу технологического суверенитета и безопасности государства в первую очередь составляют электронные технологии. Компьютерная техника, системы управления и навигации, мобильная связь, интеллектуальная энергетика, телемедицина, электромобили и беспилотный транспорт, электронные банковские транзакции – это лишь малый перечень отраслей, в которых используются пассивные электронные компоненты. При этом в настоящее время большая часть производства электронной компонентной базы сосредоточена за рубежом, в таких странах как Китай, Индия, Тайвань. В том числе зарубежные компании, расположенные в Китае, США, Индии, Великобритании, Израиле и др., владеют большей частью патентов на устройства и технологии, связанные с электронной компонентной базой. Введение санкционных ограничений в 2022 году выявило существенную зависимость доступности электронной компонентной базы от политических факторов, что обострило актуальность создания и развития собственного производства различных элементов пассивной электроники. Для эффективного импортозамещения в том числе необходимо определить основные тенденции развития пассивной электроники. Патентные документы содержат информацию, которая больше нигде не опубликована, в том числе информацию технического характера: принцип действия, технические параметры, что позволяет оценить уровень и выявить тенденции научно-технического развития. Также патенты могут быть полезны для проведения реинжиниринга импортных компонентов и развития отечественного производства. Установлено, что основные тенденции развития заключаются в миниатюризации и повышении производительности пассивных электронных компонентов, а также в адаптации их к работе в экстремальных условиях – при высоких и сверхнизких, в том числе криогенных температурах. Сфера криогенной пассивной электроники только начала развиваться, однако был выявлен ряд патентов, которые могут представлять интерес для разработчиков в этой области.


Ключевые слова: пассивная электроника, криогенная электроника, резистор, конденсатор, индуктивность, патентная аналитика
Филатова Светлана Геннадьевна
канд. техн. наук, доцент, государственный эксперт по интеллектуальной собственности отдела полезных моделей Сибирского центра ФИПС. Область научных интересов: цифровая статистическая обработка сигналов, патентная аналитика. Опубликовано более 35 научных работ. (Адрес: 630015, Россия, Новосибирск, ул. Планетная, 30, к. 2а. E-mail: ).
s.filatova@corp.nstu.ru
Orcid: 0000-0002-5583-901X

Вострецов Алексей Геннадьевич
д-р техн. наук, профессор, засл. деятель науки РФ, советник при ректорате НГТУ, заведующий лабораторией квантовой криогенной электроники. Область научных интересов: помехоустойчивые алгоритмы оценивания в аналого-цифровых системах обработки сигналов. Опубликовано более 150 научных работ. (Адрес: 630073, Россия, Новосибирск, пр. Карла Маркса,
• E-mail: ).

vostreczov@corp.nstu.ru
Orcid: 0000-0002-4753-4304

Бузук Игорь Валерьевич
ведущий государственный эксперт по интеллектуальной собственности отдела полезных моделей Сибирского центра ФИПС. Область научных интересов: патентная экспертиза, измерительная техника. (Адрес: 630015, Россия, Новосибирск, ул. Планетная, 30, к. 2а. E-mail: ).
novosib09@rupto.ru
Orcid: 0000-0003-1527-2140

Список литературы
  1. Passive on-chip components: Trends and challenges for RF applications / S. Decoutere, G. Carchon, M. Dehan, A. Mercha // Microelectronic Engineering. – 2005. – Vol. 82 (3–4). – P. 503–513. – DOI: 10.1016/j.mee.2005.07.050.
  2. Passive component market size, share, growth, and industry analysis. – URL: https://www.globalgrowthinsights.com/market-reports/passive-component-market-105365 (accessed: 17.09.2025).
  3. Вольхин Д.И., Новиков И.Л., Вострецов А.Г. Экспериментальное исследование пассивных электронных компонентов криогенной электроники // Журнал технической физики. – 2025. – № 9. – С. 1744–1755. – DOI: 10.61011/JTF.2025.09.61235.104-25.
  4. Филатова С.Г., Вострецов А.Г., Бузук И.В. Оценка потенциала импортозамещения электронной компонентной базы в Российской Федерации на основе анализа патентных документов // Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации. – 2023. – № 4 (61). – С. 58–76.
  5. Passive electronic components market size, share, growth, trends & industry analysis (2025–2030). – URL: https://www.mordorintelligence.com/industry-reports/passive-electronic-components-market (accessed: 17.09.2025).
  6. Global passive components industry outlook (2025–2030). – URL: https://johnrector.me/2025/02/08/global-passive-components-industry-outlook-2025-2030/ (accessed: 17.09.2025).
  7. Патент № 7408764 США. Cryogenic capacitors (Криогенные конденсаторы): № 58436906: заявл.·21.10.2006: опубл. 05.08.2008 / Mueller O.M., Mueller E.K., Hennessy M.J. – 13 с.
  8. Патент № 9464947 США. Cryogenic temperature measuring resistor element (Резистивный элемент для измерения криогенной температуры): № 20121398270: заявл.·19.10.2012: опубл. 11.10.2016 / Shinichiro S., Takashi M., Koichi I. – 16 с.
  9. Заявка № 2024158662 ВОИС. Sensors (Датчики): № 2024012324: заявл.·22.01.2025: опубл. 02.08.2024 / Kurland A., Wedekind D. – 15 с.
  10. Заявка № 2001110606 Япония. Esistance bulb for thermometer unaffected by magnetic field under very low temperature (Kолба сопротивления для термометра, не подверженная влиянию магнитного поля при очень низких температурах): № 28990999: заявл.·12.10.1999: опубл. 20.04.2001 / Masaak? Y., Tadaok? K., Koj? I. – 6 с.
  11. Патент № 3766126 Европейское патентное ведомство. Cryogen?c-str?pl?ne m?crowave attenuator (Криогенно-полосковый свч-аттенюатор): № 19705500: заявл.·14.02.2019: опубл. 20.01.2021 / Ol?vadese S.B., Gumann P., Gambetta J., Chow J. – 25 с.
  12. Патент № 4012728 Европейское патентное ведомство. Electromagnet?c mater?al and ?nductance for low temperatures (Электромагнитный материал и индуктивность для низких температур): № 21212053: заявл.·02.12.2021: опубл. 15.06.2022 / Viala B. – 11 с.
  13. Патент № 516039 Индия. Cryogenic fluid sensor (Датчик криогенной жидкости): № 201931033540: заявл.·21.10.2006: опубл. 05.08.2008 / Venimadhav A., Avinash K. – 24 с.
  14. Патент № 115074579 Китай. Cryogenic low-temperature permalloy soft magnetic alloy and preparation method of strip of cryogenic low-temperature permalloy soft magnetic alloy (Криогенный низкотемпературный пермаллоевый магнитомягкий сплав и способ изготовления полосы криогенного низкотемпературного пермаллоевого магнитомягкого сплава): № 202210876155: заявл.·25.07.2022: опубл. 20.09.2022 / Hu? S., Bo L., J?e L., Zhu L., J?ng M., X?ngang Y., Zhan M., X?etao L., Hao L. – 9 с.
  15. Патент № 2139088 Европейское патентное ведомство. Core-saturated superconductive fault current limiter and control method of the fault current limiter (Сверхпроводящий ограничитель тока короткого замыкания с насыщенным сердечником и способ управления ограничителем тока короткого замыкания): № 08733988: заявл.·17.04.2008: опубл. 30.12.2009 / X?n Y., Gong W., N?u X., Cao Z. – 21 с.
Благодарности. Финансирование

Публикация подготовлена в рамках НИР «Методология исследования и оценки потенциала развития технологий в электронной промышленности Новосибирской области с использованием патентного скрининга и анализа патентной активности: перспективы применения в других регионах РФ», шифр 3-ЭП-2024.

Публикация подготовлена при частичной поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, проект no. FSUN-2023-0007.

Просмотров аннотации: 8
Скачиваний полного текста: 4
Просмотров интерактивной версии: 0
Для цитирования:

Филатова С.Г., Вострецов А.Г., Бузук И.В. Тенденции развития пассивной электроники // Доклады АН ВШ РФ. – 2025. – № 3 (68). – C. 45–61 – doi: 10.17212/1727-2769-2025-3-45-61

For citation:

Filatova S.G., Vostretsov A.G., Buzuk I.V. Tendentsii razvitiya passivnoi elektroniki [Trends in the development of passive electronics]. Doklady Akademii nauk vysshei shkoly Rossiiskoi Federatsii = Proceedings of the Russian Higher School Academy of Sciences, 2025, no. 3 (68), pp. 45–61. DOI: 10.17212/1727-2769-2025-3-45-61.