ДОКЛАДЫ АКАДЕМИИ НАУК
ВЫСШЕЙ ШКОЛЫ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Аннотация
Начальная стадия гомоэпитаксии GaAs  исследована методом ДБЭО при

ультрамалых степенях заполнения поверхности.  Обнаружено, что при степенях заполнения поверхности менее 0.03  монослоя возникает метастабильная фаза a(2x4)-н. При степенях заполнения 0.03–0.09 образуются переходные центры с локальной структурой b1(2x4). При степени заполнения поверхности более 0.09  монослоя возникают стабильные кристаллические зародыши новой фазы.

Список литературы

1. Neave J.H., Joyce B.A., Dobson P.J., Norton N. Dynamics of film growth of GaAs by MBE from Rheed Observations // Appl. Phys. A. – 1983.–V. 31.–P. 1–8.
2. Itoh M. Atomic-scale homoepitaxial growth simulations of reconstructed III–V surfaces // Progress in Surf. Sci. – 2001 – Vol. 66 – P.53–153.
3. Joyce B. and Vvedensky D. Self-organized growth on GaAs surfaces // Material Science and Engineering R –2004 – Vol.46 – P.127–176.
4. Avery A.R., Dobbs H.T., Holmes D.M., Joyce B.A., Vvedensky D.D. Nucleation and Growth of Islands on GaAs Surfaces // Phys. Rev. Lett. – 1997 – Vol.79 – P.3938–3941.
5. Kratzer P., Penev E., Scheffler M. First-principles studies of kinetics in epitaxial growth of III-V semiconductors // Appl. Phys. A –2002 – Vol.75 – P.79–88.
6. Penev E., Kratzer P., Scheffler M. Understanding the growth mechanisms of GaAs and InGaAs thin films by employing first-principles calculations // Appl. Surf. Sci. – 2003 – Vol.216 – P.436–446.
7. Kratzer P., Scheffler M. Reaction-limited island nucleation in molecular beam epitaxy of compound semiconductors // Phys. Rev. Lett. – 2002 – Vol.88 – P.036102–0.36106.
8. Ishii A., Kawamura T. Monte Carlo simulation of homoepitaxial growth on twocomponent compound semiconductor surfaces // Surf. Sci. – 1999 – Vol.436 – P.38–50.
9. Kratzer P., Morgan C.G., Scheffler M. Model for nucleation in GaAs homoepitaxy derived from first principles // Phys. Rev. B – 1999 – Vol.59 – P.1524615252.
10. Kangawa Y., Ito T., Taguchi A., Shiraishi K., Irisawa T., Ohachi T. Monte Carlo simulation for temperature dependence of Ga diffusion length on GaAs(001) // Appl. Surf. Sci. – 2002 – Vol.190 – P.517–520.
11. Itoh M., Bell G.R., Avery A.R., Jones T.S., Joyce B.A., Vvedensky D.D. Island Nucleation and Growth on Reconstructed GaAs(001) Surfaces // Phys. Rev. Lett. – 1998 – Vol.81– P.633–636.
12. Галицын Ю.Г., Дмитриев Д.В., Мансуров В.Г., Мощенко С.П,, Торопов А.И Роль латерального взаимодействия в гомоэпитаксии GaAs на поверхности (001)-β(2х4) // Письма ЖЭТФ – 2005 – Vol.86 – P.553–557.
13. Xue Q. K., Hashizume T., Ohno T., Hasegawa Y., Sakurai T. Scanning tunneling microscopy of GaAs(001) // Sci. Rep. RITU A – 1997 – Vol.44 – P.113–143.

Просмотров аннотации: 1933
Скачиваний полного текста: 337
Просмотров интерактивной версии: 0