Галицын Юрий Георгиевич,
Лямкина Анна Алексеевна,
Мощенко Сергей Павлович,
Дмитриев Дмитрий Владимирович,
Торопов Александр Иванович,
Михайлов Юрий Иванович
Аннотация
Начальная стадия гомоэпитаксии GaAs исследована методом ДБЭО при
ультрамалых степенях заполнения поверхности. Обнаружено, что при степенях заполнения поверхности менее 0.03 монослоя возникает метастабильная фаза a(2x4)-н. При степенях заполнения 0.03–0.09 образуются переходные центры с локальной структурой b1(2x4). При степени заполнения поверхности более 0.09 монослоя возникают стабильные кристаллические зародыши новой фазы.
Ключевые слова: гомоэпитаксия, ДБЭО, поверхностная реконструкция, фазовый переход
Авторы:
Галицын Юрий Георгиевич
д.х.н., ведущий научный сотрудник
Института физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия,
sergem@isp.nsc.ru
Лямкина Анна Алексеевна
инженер Института физики полупроводников
СО РАН, Новосибирск, Россия, lyamkina@thermo.isp.ns.ru
Мощенко Сергей Павлович
научный сотрудник Института физики
полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия, sergem@isp.nsc.ru
Дмитриев Дмитрий Владимирович
младший научный сотрудник
Института физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия,
ddmitriev@thermo.isp.nsc.ru
Торопов Александр Иванович
к.ф.-м.н, заведующий лабораторией
Института физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия,
toropov@thermo.isp.nsc.ru
Михайлов Юрий Иванович
д.х.н., профессор, профессор кафедры «Химия»
Новосибирского государственного технического университета, ведущий
научный сотрудник Института химии твердого тела и механохимии СО
РАН, Новосибирск, Россия, uvarov@solid.nsc.ru
Список литературы
- Neave J.H., Joyce B.A., Dobson P.J., Norton N. Dynamics of film growth of GaAs by MBE from Rheed Observations // Appl. Phys. A. – 1983.–V. 31.–P. 1–8.
- Itoh M. Atomic-scale homoepitaxial growth simulations of reconstructed III–V surfaces // Progress in Surf. Sci. – 2001 – Vol. 66 – P.53–153.
- Joyce B. and Vvedensky D. Self-organized growth on GaAs surfaces // Material Science and Engineering R –2004 – Vol.46 – P.127–176.
- Avery A.R., Dobbs H.T., Holmes D.M., Joyce B.A., Vvedensky D.D. Nucleation and Growth of Islands on GaAs Surfaces // Phys. Rev. Lett. – 1997 – Vol.79 – P.3938–3941.
- Kratzer P., Penev E., Scheffler M. First-principles studies of kinetics in epitaxial growth of III-V semiconductors // Appl. Phys. A –2002 – Vol.75 – P.79–88.
- Penev E., Kratzer P., Scheffler M. Understanding the growth mechanisms of GaAs and InGaAs thin films by employing first-principles calculations // Appl. Surf. Sci. – 2003 – Vol.216 – P.436–446.
- Kratzer P., Scheffler M. Reaction-limited island nucleation in molecular beam epitaxy of compound semiconductors // Phys. Rev. Lett. – 2002 – Vol.88 – P.036102–0.36106.
- Ishii A., Kawamura T. Monte Carlo simulation of homoepitaxial growth on twocomponent compound semiconductor surfaces // Surf. Sci. – 1999 – Vol.436 – P.38–50.
- Kratzer P., Morgan C.G., Scheffler M. Model for nucleation in GaAs homoepitaxy derived from first principles // Phys. Rev. B – 1999 – Vol.59 – P.1524615252.
- Kangawa Y., Ito T., Taguchi A., Shiraishi K., Irisawa T., Ohachi T. Monte Carlo simulation for temperature dependence of Ga diffusion length on GaAs(001) // Appl. Surf. Sci. – 2002 – Vol.190 – P.517–520.
- Itoh M., Bell G.R., Avery A.R., Jones T.S., Joyce B.A., Vvedensky D.D. Island Nucleation and Growth on Reconstructed GaAs(001) Surfaces // Phys. Rev. Lett. – 1998 – Vol.81– P.633–636.
- Галицын Ю.Г., Дмитриев Д.В., Мансуров В.Г., Мощенко С.П,, Торопов А.И Роль латерального взаимодействия в гомоэпитаксии GaAs на поверхности (001)-β(2х4) // Письма ЖЭТФ – 2005 – Vol.86 – P.553–557.
- Xue Q. K., Hashizume T., Ohno T., Hasegawa Y., Sakurai T. Scanning tunneling microscopy of GaAs(001) // Sci. Rep. RITU A – 1997 – Vol.44 – P.113–143.
