ДОКЛАДЫ АКАДЕМИИ НАУК
ВЫСШЕЙ ШКОЛЫ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Print ISSN: 1727-2769    Online ISSN: 2658-3747
English | Русский

Последний выпуск
№3(40) июль-сентябрь 2018

ДИНАМИКА И КИНЕТИКА ГОМОЭПИТАКСИИ GaAs НА ПОВЕРХНОСТИ (001) b(2x4) ПРИ УЛЬТРАМАЛЫХ СТЕПЕНЯХ ЗАПОЛНЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ

Выпуск № 2 (17) июль-декабрь 2011
Авторы:

Галицын Юрий Георгиевич,
Лямкина Анна Алексеевна,
Мощенко Сергей Павлович,
Дмитриев Дмитрий Владимирович,
Торопов Александр Иванович,
Михайлов Юрий Иванович
Аннотация
Начальная стадия гомоэпитаксии GaAs  исследована методом ДБЭО при

ультрамалых степенях заполнения поверхности.  Обнаружено, что при степенях заполнения поверхности менее 0.03  монослоя возникает метастабильная фаза a(2x4)-н. При степенях заполнения 0.03–0.09 образуются переходные центры с локальной структурой b1(2x4). При степени заполнения поверхности более 0.09  монослоя возникают стабильные кристаллические зародыши новой фазы.
Ключевые слова: гомоэпитаксия, ДБЭО, поверхностная реконструкция, фазовый переход

Список литературы
  1. Neave J.H., Joyce B.A., Dobson P.J., Norton N. Dynamics of film growth of GaAs by MBE from Rheed Observations // Appl. Phys. A. – 1983.–V. 31.–P. 1–8.
  2. Itoh M. Atomic-scale homoepitaxial growth simulations of reconstructed III–V surfaces // Progress in Surf. Sci. – 2001 – Vol. 66 – P.53–153.
  3. Joyce B. and Vvedensky D. Self-organized growth on GaAs surfaces // Material Science and Engineering R –2004 – Vol.46 – P.127–176.
  4. Avery A.R., Dobbs H.T., Holmes D.M., Joyce B.A., Vvedensky D.D. Nucleation and Growth of Islands on GaAs Surfaces // Phys. Rev. Lett. – 1997 – Vol.79 – P.3938–3941.
  5. Kratzer P., Penev E., Scheffler M. First-principles studies of kinetics in epitaxial growth of III-V semiconductors // Appl. Phys. A –2002 – Vol.75 – P.79–88.
  6. Penev E., Kratzer P., Scheffler M. Understanding the growth mechanisms of GaAs and InGaAs thin films by employing first-principles calculations // Appl. Surf. Sci. – 2003 – Vol.216 – P.436–446.
  7. Kratzer P., Scheffler M. Reaction-limited island nucleation in molecular beam epitaxy of compound semiconductors // Phys. Rev. Lett. – 2002 – Vol.88 – P.036102–0.36106.
  8. Ishii A., Kawamura T. Monte Carlo simulation of homoepitaxial growth on twocomponent compound semiconductor surfaces // Surf. Sci. – 1999 – Vol.436 – P.38–50.
  9. Kratzer P., Morgan C.G., Scheffler M. Model for nucleation in GaAs homoepitaxy derived from first principles // Phys. Rev. B – 1999 – Vol.59 – P.1524615252.
  10. Kangawa Y., Ito T., Taguchi A., Shiraishi K., Irisawa T., Ohachi T. Monte Carlo simulation for temperature dependence of Ga diffusion length on GaAs(001) // Appl. Surf. Sci. – 2002 – Vol.190 – P.517–520.
  11. Itoh M., Bell G.R., Avery A.R., Jones T.S., Joyce B.A., Vvedensky D.D. Island Nucleation and Growth on Reconstructed GaAs(001) Surfaces // Phys. Rev. Lett. – 1998 – Vol.81– P.633–636.
  12. Галицын Ю.Г., Дмитриев Д.В., Мансуров В.Г., Мощенко С.П,, Торопов А.И Роль латерального взаимодействия в гомоэпитаксии GaAs на поверхности (001)-β(2х4) // Письма ЖЭТФ – 2005 – Vol.86 – P.553–557.
  13. Xue Q. K., Hashizume T., Ohno T., Hasegawa Y., Sakurai T. Scanning tunneling microscopy of GaAs(001) // Sci. Rep. RITU A – 1997 – Vol.44 – P.113–143.
Просмотров: 661