ДОКЛАДЫ АКАДЕМИИ НАУК
ВЫСШЕЙ ШКОЛЫ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Print ISSN: 1727-2769    Online ISSN: 2658-3747
English | Русский

Последний выпуск
№3(40) июль-сентябрь 2018

СТАТИСТИЧЕСКОЕ РАССМОТРЕНИЕ АНСАМБЛЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК InAs НА ПОВЕРХНОСТИ (001)GaAs

Выпуск № 2 (19) июль - декабрь 2012
Авторы:

Галицын Юрий Георгиевич,
Лямкина Анна Алексеевна,
Мощенко Сергей Павлович,
Дмитриев Дмитрий Владимирович,
Торопов Александр Иванович,
Ernesto Placidi,
Михайлов Юрий Иванович
Аннотация
Показано,  что переход Странского– Крастанова фактически является двумерным фазовым переходом в модели решеточного газа.  Для описания фазового перехода были использованы трехпараметрические изотермы;  определены параметры латерального

взаимодействия,  приводящие к конденсации квантовых точек.
Ключевые слова: квантовые точки, переход Странского–Крастанова, решеточный газ, фазовый переход, трехпараметрические изотермы.

Список литературы


[1] Joyce B . Self-organized growth on GaAs surfaces / B . Joyce, D. Vvedensky // Material Science and

Engineering R. – 2004. – Vol. 46 – No. 6. – P. 127–176.

[2] Nanoscience and Technology: Semiconductor Nanostructures, / Ed. D. Bimberg. – Springer-Verlag Berlin

Heidelberg, 2008. – 455 p.

[3] Kodulev H.M. Epitaxial growth kinetics with interacting coherent islands / H.M. Kodulev, A. Zangwill

// Phys. Rev. B – 1999. – Vol. 60 – P. R2204 – R2207.

[4] Kobayashi N.P. In situ, atomic force microscope studies of the evolution of InAs three dimensional islands

on GaAs(001) / N.P. Kobayashi, T.R. Ramachandrah, P. Chen, A. Madhukar // Appl. Phys.Lett. – 1996 –

Vol. 68. – P. 3299–3302.

[5] Leonard J.D. Critical layer thickness for self-assembled InAs islands on GaAs / J.D. Leonard,

K. Pond, P.M. Petroff // Phys. Rev. B. – 1994. – Vol. 50. – P. 11687–11692.

[6] Dobbs H.T. Theory of quantum dots formation in Stranski–Krastanov systems / H.T. Dobbs,

A. Zangwill, D.D. Vvedensky // Appl. Surf. Sci. – 1998. – Vol. 123–124. – P. 646–652.





[7] Placidi E. Kinetic effects in the InAs/GaAs(001) two-dimensional to three-dimensional transition /

E. Placidi, F. Arciprete, M. Fanfoni, F. Patella, E. Orsini and A. Balzarotti // J. Phys. Cond. Matt. – 2007. –

Vol. 19. – P. 225006–225027.

[8] Zhdanov V. Kinetic phase transitions in simple reactions on solid surfaces / V. Zhdanov, B. Kasemo //

Surf. Sci. Rep. – 1994. – Vol. 20. – P. 111–189.

[9] Sun J. Extremely low density InAs quantum dots realized in situ on (100) GaAs / J. Sun, P. Jin,

Z. Wang // Nanotechnology. – 2004. – Vol. 15. – P. 1763–1766.

[10] Галицын Ю.Г. Роль латерального взаимодействия в гомоэпитаксии GaAs на поверхности

(001)-beta(2x4) / Ю.Г. Галицын, Д.В. Дмитриев, В.Г. Мансуров, С.П. Мощенко, А.И. Торопов // Письма

ЖЭТФ. – 2007. – Том 86. – Вып. 7. – С. 553–557.

[11] Галицын Ю.Г. Критические явления в реконструкционном переходе beta(2х4) в alpha(2x4) на

поверхности (001) GaAs / Ю.Г. Галицын, Д.В. Дмитриев, В.Г. Мансуров, С.П. Мощенко, А.И. Торопов //

Письма ЖЭТФ. – 2005. – Том 81. – Вып. 12. – С. 766–770.

[12] Галицын Ю.Г. Асимметричный реконструкционный фазовый переход c (4Å~4)→γ(2Å~4) на по-

верхности (001) GaAs / Ю.Г. Галицын, Д.В. Дмитриев, В.Г. Мансуров, С.П. Мощенко, А.И. Торопов //

Письма ЖЭТФ. – 2006. – Том 86. – Вып. 9. – С. 596–600.

 
Просмотров: 811