Аннотация
Показано, что переход Странского– Крастанова фактически является двумерным фазовым переходом в модели решеточного газа. Для описания фазового перехода были использованы трехпараметрические изотермы; определены параметры латерального
взаимодействия, приводящие к конденсации квантовых точек.
Ключевые слова: квантовые точки, переход Странского–Крастанова, решеточный газ, фазовый переход, трехпараметрические изотермы.
Список литературы
[1] Joyce B . Self-organized growth on GaAs surfaces / B . Joyce, D. Vvedensky // Material Science and
Engineering R. – 2004. – Vol. 46 – No. 6. – P. 127–176.
[2] Nanoscience and Technology: Semiconductor Nanostructures, / Ed. D. Bimberg. – Springer-Verlag Berlin
Heidelberg, 2008. – 455 p.
[3] Kodulev H.M. Epitaxial growth kinetics with interacting coherent islands / H.M. Kodulev, A. Zangwill
// Phys. Rev. B – 1999. – Vol. 60 – P. R2204 – R2207.
[4] Kobayashi N.P. In situ, atomic force microscope studies of the evolution of InAs three dimensional islands
on GaAs(001) / N.P. Kobayashi, T.R. Ramachandrah, P. Chen, A. Madhukar // Appl. Phys.Lett. – 1996 –
Vol. 68. – P. 3299–3302.
[5] Leonard J.D. Critical layer thickness for self-assembled InAs islands on GaAs / J.D. Leonard,
K. Pond, P.M. Petroff // Phys. Rev. B. – 1994. – Vol. 50. – P. 11687–11692.
[6] Dobbs H.T. Theory of quantum dots formation in Stranski–Krastanov systems / H.T. Dobbs,
A. Zangwill, D.D. Vvedensky // Appl. Surf. Sci. – 1998. – Vol. 123–124. – P. 646–652.
[7] Placidi E. Kinetic effects in the InAs/GaAs(001) two-dimensional to three-dimensional transition /
E. Placidi, F. Arciprete, M. Fanfoni, F. Patella, E. Orsini and A. Balzarotti // J. Phys. Cond. Matt. – 2007. –
Vol. 19. – P. 225006–225027.
[8] Zhdanov V. Kinetic phase transitions in simple reactions on solid surfaces / V. Zhdanov, B. Kasemo //
Surf. Sci. Rep. – 1994. – Vol. 20. – P. 111–189.
[9] Sun J. Extremely low density InAs quantum dots realized in situ on (100) GaAs / J. Sun, P. Jin,
Z. Wang // Nanotechnology. – 2004. – Vol. 15. – P. 1763–1766.
[10] Галицын Ю.Г. Роль латерального взаимодействия в гомоэпитаксии GaAs на поверхности
(001)-beta(2x4) / Ю.Г. Галицын, Д.В. Дмитриев, В.Г. Мансуров, С.П. Мощенко, А.И. Торопов // Письма
ЖЭТФ. – 2007. – Том 86. – Вып. 7. – С. 553–557.
[11] Галицын Ю.Г. Критические явления в реконструкционном переходе beta(2х4) в alpha(2x4) на
поверхности (001) GaAs / Ю.Г. Галицын, Д.В. Дмитриев, В.Г. Мансуров, С.П. Мощенко, А.И. Торопов //
Письма ЖЭТФ. – 2005. – Том 81. – Вып. 12. – С. 766–770.
[12] Галицын Ю.Г. Асимметричный реконструкционный фазовый переход c (4Å~4)→γ(2Å~4) на по-
верхности (001) GaAs / Ю.Г. Галицын, Д.В. Дмитриев, В.Г. Мансуров, С.П. Мощенко, А.И. Торопов //
Письма ЖЭТФ. – 2006. – Том 86. – Вып. 9. – С. 596–600.
