НАУЧНЫЙ ВЕСТНИК


НОВОСИБИРСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА

ISSN (печатн.): 1814-1196          ISSN (онлайн): 2658-3275
English | Русский

Последний выпуск
№3(72) Июль - Сентябрь 2018

Анализ механизмов перегрева гетероструктур Ge/Si, PbTe/Si в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии

Выпуск № 4 (53) Октябрь - Декабрь 2013
Авторы:

Величко Александр Андреевич,
Сивых Геннадий Федорович,
Илюшин Владимир Александрович,
Кацюба Алексей Владимирович
Аннотация
Показано, что при молекулярно-лучевой эпитаксии пленок Ge или PbTe на подложке Si с ростом толщины пленки происходит дополнительное поглощение теплового излучения и как следствие – неконтролируемое увеличение температуры гетероструктуры по сравнению с исходной температурой подложки. Сделан количественный расчет перегрева гетероструктуры, который показал, что для гетероструктуры Ge/Si по мере увеличения температуры нагревателя от 1000 К до 1500 К перегрев возрастает от 50 К до 110 К, для гетероструктуры PbTe/Si от 100 К при Tн = 890 К до 150 К при Tн = 950 К. Причем наиболее резкое неконтролируемое изменение температуры образца происходит на начальной стадии зарождения и роста, что может резко поменять механизм зародышеобразования, и в конечном счете, повлиять на качество структуры. Наличие такого расчета позволит корректировать температуру подложки в процессе роста для получения качественных эпитаксиальных пленок.
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, перегрев, гетероструктура, расчет температуры

Список литературы
[1] Величко А.А. Оценка разогрева / Современные техника и технологии / А.А. Величко, А.В. Кацюба // Сб. науч. тр. – Т. 3. – Томск, 2011. – С. 409–410. [2] Величко А.А. Электрофизические свойства / А.А. Величко, В.А. Илюшин // Электронная промышленность. – 1993. – № 8. – С. 48–50. [3] Кацюба А.В. Анализ температурной нестабильности / Радиоэлектроника и молодежь в XXI веке / А.В. Кацюба // Материалы XVI международного молодежного форума. – Т. 1. – Харьков, 2012. – С. 11–12. [4] Равич Ю.И. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, Pbs / Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. – Изд-во «Наука» Главн. Ред. Физ.-матем. Лит., 1968. [5] Воронкова Е.М. и др. Оптические материалы для инфракрасной техники / Е.М. Воронкова и др. М.: Наука, 1965. – С. 207–217.
Просмотров: 584