Величко Александр Андреевич,
Сивых Геннадий Федорович,
Илюшин Владимир Александрович,
Кацюба Алексей Владимирович
Аннотация
Показано, что при молекулярно-лучевой эпитаксии пленок Ge или PbTe на подложке Si с ростом толщины пленки происходит дополнительное поглощение теплового излучения и как следствие – неконтролируемое увеличение температуры гетероструктуры по сравнению с исходной температурой подложки. Сделан количественный расчет перегрева гетероструктуры, который показал, что для гетероструктуры Ge/Si по мере увеличения температуры нагревателя от 1000 К до 1500 К перегрев возрастает от 50 К до 110 К, для гетероструктуры PbTe/Si от 100 К при Tн = 890 К до 150 К при Tн = 950 К. Причем наиболее резкое неконтролируемое изменение температуры образца происходит на начальной стадии зарождения и роста, что может резко поменять механизм зародышеобразования, и в конечном счете, повлиять на качество структуры. Наличие такого расчета позволит корректировать температуру подложки в процессе роста для получения качественных эпитаксиальных пленок.
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, перегрев, гетероструктура, расчет температуры
Авторы:
Величко Александр Андреевич
доктор технических наук, профессор. Основные направления научных исследований – разработка матричных интегральных ФПУ на основе структур «полупроводник на диэлектрике» и исследование начальной стадии зарождения и роста гетероструктур. Имеет более 90 научных публикаций, более 10 учебных пособия, 20 авторских свидетельств. E-mail: vel6049@mail.ru
Сивых Геннадий Федорович
кандидат физико-математических наук, доцент. Основные направления научных исследований – механика жидкости и газа, теплофизика. Имеет более 80 публикаций. E-mail: genfes@ngs.ru
Илюшин Владимир Александрович
кандидат технических наук, доцент. Основные направления научных исследований – молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур. Имеет более 30 научных публикаций, 3 учебных пособия, 8 авторских свидетельств. E-mail: ilval@ngs.ru
Кацюба Алексей Владимирович
аспирант. Основное направление научных исследований – молекулярно-лучевая эпитаксия структур Ge-Si на подложках Si и (Ba,Ca)F2/Si(100). Е-mail: kacuba@ngs.ru
Список литературы
[1] Величко А.А. Оценка разогрева / Современные техника и технологии / А.А. Величко, А.В. Кацюба // Сб. науч. тр. – Т. 3. – Томск, 2011. – С. 409–410. [2] Величко А.А. Электрофизические свойства / А.А. Величко, В.А. Илюшин // Электронная промышленность. – 1993. – № 8. – С. 48–50. [3] Кацюба А.В. Анализ температурной нестабильности / Радиоэлектроника и молодежь в XXI веке / А.В. Кацюба // Материалы XVI международного молодежного форума. – Т. 1. – Харьков, 2012. – С. 11–12. [4] Равич Ю.И. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, Pbs / Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. – Изд-во «Наука» Главн. Ред. Физ.-матем. Лит., 1968. [5] Воронкова Е.М. и др. Оптические материалы для инфракрасной техники / Е.М. Воронкова и др. – М.: Наука, 1965. – С. 207–217.
