Аннотация
Известно, что взаимодействие между кристаллической структурой и монохроматиче- ским электромагнитным полем может открыть энергетические щели внутри электронных энергетических зон кристаллов (динамический эффект Штарка) и тем самым привести к качественному изменению их электронных характеристик. Не является в этом смысле ис- ключением и такая новая кристаллическая наноструктура, как графен, чьи уникальные физические свойства привлекли пристальное внимание научного сообщества в связи с пер- спективами создания нового класса наноэлектронных приборов. Однако ранее открытие энергетических щелей в графене посредством фотонов было исследовано только вблизи дираковской точки зоны Бриллюэна, где имеет место касание зоны проводимости и ва- лентной зоны графена. Вопрос о том, каким образом лазерное излучение модифицирует электронный спектр графена в произвольной точке зоны Бриллюэна, оставался открытым. Данная работа ставит своей целью восполнить этот пробел в теории электронных свойств графена. Для решения сформулированной задачи проведен теоретический анализ сильного электрон-фотонного взаимодействия в графене. В рамках модели сильной связи получены аналитические выражения, описывающие энергетический спектр электрон-фотонных со- стояний в произвольной точке зоны Бриллюэна графена. Показано, что резонансное взаи- модействие лазерного излучения с электронами приводит к открытию энергетических ще- лей внутри зоны проводимости и валентной зоны графена, а также найдена зависимость этих щелей от амплитуды и поляризации излучения. Такая возможность изменения элек- тронных свойств графена посредством лазерного излучения создает физические предпо- сылки для создания новых оптоэлектронных приборов с управляемыми параметрами.
Ключевые слова: графен, электрон-фотонное взаимодействие