Аннотация
Проведен анализ скоростей травления ионным пучком материалов, используемых при производстве интегральных микросхем. Экспериментальное травление проводилось на двулучевом электронно-ионном микроскопе Cross Beam 1540 EsB. Показаны зависимости скорости травления алюминия, фосфоросиликатного стекла, нитрида кремния, термического оксида и поликремния от времени и тока пучка ионов. Из полученных зависимостей видно, что с увеличением тока в некоторых материалах существенно увеличивается эффект распыления и переосаждения, что сказывается и на скорости, и на качестве травления. Исходя из полученных результатов, выявлены наиболее оптимальные режимы травления для последующей коррекции экспериментальных образцов чипов СБИС.
Ключевые слова: травление фокусированным ионным пучком, интегральные микросхемы, растровый электронный микроскоп.
Список литературы
1. Лучинин В.В., Савенко А.Ю., Тагаченков А.М. Методы микро- и наноразмерной обработки материалов и композиций. Петербургский Журнал Электроники. № 2, 2005. - С. 3 – 14.
2. Лучинин В.В., Савенко А.Ю. Наноразмерные ионнолучевые технологии. Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы. Под ред. В.В. Лучинина и Ю.М. Таирова. М.:Физматлит.2006. - С. 284 - 304.
3. Кузнецова М.А., Лучинин В.В., Савенко А.Ю. Ионно-лучевая технология сверх локального препарирования интегральных схем. Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Серия «Физика твёрдого тела и электроника». № 2. 2006. - С. 28 - 35.
4. Volinsky A.A., Rice L., Qin W., Theodore N. D. FIB failure analysis of memory arrays. Microelectronic Engineering № 75. 2004. - P. 3 - 11.
5. Топякова М. В., Васильев В. Ю., Величко А. А. Коррекция cубмикронных многоуровневых интегральных микросхем с помощью электронно-ионного микроскопа. Сборник трудов международной научной конференции «Электронная техника и технологии». – Харьков, 2012, Т. 2. - С. 42-43.
