Аннотация
Проведен анализ скоростей травления ионным пучком материалов, используемых при производстве интегральных микросхем. Экспериментальное травление проводилось на двулучевом электронно-ионном микроскопе Cross Beam 1540 EsB. Показаны зависимости скорости травления алюминия, фосфоросиликатного стекла, нитрида кремния, термического оксида и поликремния от времени и тока пучка ионов. Из полученных зависимостей видно, что с увеличением тока в некоторых материалах существенно увеличивается эффект распыления и переосаждения, что сказывается и на скорости, и на качестве травления. Исходя из полученных результатов, выявлены наиболее оптимальные режимы травления для последующей коррекции экспериментальных образцов чипов СБИС.
Величко Александр Андреевич доктор техн. наук, профессор
Список литературы
1. Лучинин В.В., Савенко А.Ю., Тагаченков А.М. Методы микро- и наноразмерной обработки материалов и композиций. Петербургский Журнал Электроники. № 2, 2005. - С. 3 – 14.
2. Лучинин В.В., Савенко А.Ю. Наноразмерные ионнолучевые технологии. Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы. Под ред. В.В. Лучинина и Ю.М. Таирова. М.:Физматлит.2006. - С. 284 - 304.
3. Кузнецова М.А., Лучинин В.В., Савенко А.Ю. Ионно-лучевая технология сверх локального препарирования интегральных схем. Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Серия «Физика твёрдого тела и электроника». № 2. 2006. - С. 28 - 35.
4. Volinsky A.A., Rice L., Qin W., Theodore N. D. FIB failure analysis of memory arrays. Microelectronic Engineering № 75. 2004. - P. 3 - 11.
5. Топякова М. В., Васильев В. Ю., Величко А. А. Коррекция cубмикронных многоуровневых интегральных микросхем с помощью электронно-ионного микроскопа. Сборник трудов международной научной конференции «Электронная техника и технологии». – Харьков, 2012, Т. 2. - С. 42-43.
