Аннотация
Рассматриваются изменение морфологии и электрофизические параметры пленок фторида кальция, выращенных методом молекулярно лучевой эпитаксии (МЛЭ), в зависимости от режима роста. Показано, что при увеличении температуры происходит резкое огрубление поверхности, при этом пленка CaF2 получается не сплошной, что является неприемлемым для создания КНИ структур. Также показано, что использование метода твердофазной эпитаксии (ТФЭ) и температуры роста 530 0С позволяет получать сплошные пленки с хорошими электрофизическими параметрами. Образцы, выращенные без использования ТФЭ, имеют плохие электрофизические параметры и большой разброс по пластине значений токов утечки.
Список литературы
1. Мордкович В.Н. Структуры «кремний на изоляторе» – перспективный материал микроэлектроники // Материалы электронной техники. – 1998. – №2. – С. 4 – 7.
2. Вялых Д.В. Исследование микротопографии поверхностей SiO2 и Si межфазной границы Si/SiO2 в структурах SIMOX методом сканирующей туннельной микроскопии / Д.В. Вялых, С.И. Федосеенко // Физика Тонких Пленок. – 1999. – Т. 33, вып. 6. – С. 708–711.
3. Fathauer R.W. Surface morphology of epitaxial CaF2 films on Si substrates / R.W. Fathauer, L.J. Schowalter // Appl. Phys. Lett. – 1984. – Vol. 45, № 5. – P. 519-521.
4. Electroluminescence from silicon nanocrystals in Si/CaF2 superlattices / V. Ioannou – Sougleridis, A.G. Nassiopoulou, T. Ouisse F. Bassani, F. Arnaud d,Avitaya // Appl. Phys. Lett. – 2001. – Vol. 79, № 13. – P. 2076-2078.
5. Кацюба А.В., Крупин А.Ю. Измерение морфологии пленок CaF2 под действием электронного пучка в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии // 3-я Всероссийская молодежная конференция с элементами научной школы «Функциональные наноматериалы и высокочистые вещества». – Москва, РХТУ. – 2012. – С 47–49
