В настоящее время приложение SDevice пакета программ TCAD Sentaurus представляет собой надежное средство электрофизического моделирования кремниевых КМОП транзисторов, работающих в области температур –60…+125 °С. Для адаптации процесса моделирования к конкретным физическим условиям работы приборов в этом приложении имеется обширная библиотека моделей электрофизических параметров (в част-ности, моделей подвижностей или ширины запрещенной зоны). Однако при работе прибора в экстремальных криогенных условиях возникает потребность доработки этих моделей с помощью специального интерфейса Physical Model Interface (PMI). В работе представлены методические особенности работы с PMI и результаты внедрения пользовательских моделей параметров для кремниевых приборов.
1. Synopsys Inc. Sentaurus Device User Guide: Version M-2016.12. – December 2016.
2. Петросянц К.О. Состояние работ в области моделирования полупроводниковых компонентов с учетом влияния радиации и температуры // Наноиндустрия. – 2018. – № 82. – С. 42–45.
3. Dorckel J.M., Leturcq P.H. Carrier mobilities in silicon semi-empiriccally related to temperature, doping and injection level // Solid-State Electronis. – 1981. – Vol. 24, N 9. – P. 821–825.
4. Резевиг В.Д. Применение программ P-CAD и PSpice для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. Вып. 2. Модели компонентов аналоговых устройств. – М.: Радио и связь, 1992. – 64 с.
5. Green M.A. Intrinsic concentration, effective density of states, and effective mass in silicon // Journal of Applied Physics. – 1990. – Vol. 67. – P. 2944–2954.
Исследование интерфейса внедрения физических моделей в среде TCAD SENTAURUS / М.А. Кузнецов, С.В. Калинин, А.С. Черкаев, Д.И. Остертак // Сборник научных трудов НГТУ. – 2020. – № 3 (98). – С. 39–48. – DOI: 10.17212/2307-6879-2020-3-39-48.
Kuznetsov M.A., Kalinin S.V., Cherkaev A.S., Ostertak D.I. Issledovanie interfeisa vnedreniya fizicheskikh modelei v srede TCAD SENTAURUS [Investigating physical model interface in the TCAD Sentaurus environment]. Sbornik nauchnykh trudov Novosibirskogo gosudarstvennogo tekhnicheskogo universiteta = Transaction of scientific papers of the Novosibirsk state technical university, 2020, no. 3 (98), pp. 39–48. DOI: 10.17212/2307-6879-2020-3-39-48. (In Russian)