Безопасность цифровых технологий

БЕЗОПАСНОСТЬ ЦИФРОВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ

БЕЗОПАСНОСТЬ
ЦИФРОВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ

English | Русский

Последний выпуск
№2(2025) Апрель - Июнь 2025

Влияние металлической фазы на температурные характеристики электропроводности и термоЭДС дисульфида молибдена

Выпуск № 4 (78) Октябрь - Декабрь 2014
Авторы:

А.С. БЕРДИНСКИЙ ,
С.П. ХАБАРОВ ,
Г.Е. ЯКОВЛЕВА ,
В.Е. ФЕДОРОВ ,
DOI: http://dx.doi.org/10.17212/2307-6879-2014-4-165-175
Аннотация


В настоящее время большое количество работ посвящено изучению термоэлектрических материалов. Интерес к таким материалам, как халькогениды переходных металлов, появился сравнительно недавно благодаря их слоистой структуре. Ярким представителем таких материалов является дисульфид молибдена, который был изучен в данной статье. Этот материал, обладая высоким коэффициентом Зеебека, имеет низкую электропроводность, что ограничивает его термоэлектрическое применение. Поэтому нашей задачей являлось выявить, как повлияет на электропроводность дисульфида молибдена добавление металлического материала с высокой электропроводностью. В качестве металлического материала мы использовали низший сульфид молибдена Mo2S3. Свойства этого материала были также нами изучены и приведены в данной работе. Исследуемые композитные материалы имели в своем составе 3 и 6 % Mo2S3. Для проведения исследования была создана установка для измерения термоЭДС, конструкция которой приведена в данной статье. Также мы измерили температурные характеристики сопротивления. Совокупность наших измерений позволила нам оценить фактор мощности композитных материалов. В данной работе мы показали, что добавление металлической фазы повлияло на фактор мощности материала, при этом для каждого температурного диапазона по-своему. Так, наибольшее влияние Mo2S3 было отмечено на температурном участке от 72 до 150 °С, где для 3 % композитного материала наблюдалось увеличение в два раза, а для 6 % – в четыре раза.

 
Ключевые слова: термоэлектрические материалы, халькогениды переходных металлов, дисульфид молибдена, сульфид молибдена III, термоЭДС, термоэлектрическая добротность, фактор мощности, электропроводность
А.С. БЕРДИНСКИЙ
630073, г. Новосибирск, пр. К. Маркса, 20, Новосибирский государственный технический университет, кандидат техннических наук, доцент. E-mail:
berdinsky.alexan-der@gmail.com
Orcid:

С.П. ХАБАРОВ
630073, г. Новосибирск, пр. К. Маркса, 20, Новосибирский государственный техниче-ский университет, старший преподаватель. E-mail:
khabarov126@ngs.ru
Orcid:

Г.Е. ЯКОВЛЕВА
630073, г. Новосибирск , пр. К. Маркса, 20, Новосибирский государственный техниче-ский университет, магистрант. E-mail:
galina.yakovleva.91@mail.ru
Orcid:

В.Е. ФЕДОРОВ
630090, г. Новосибирск, пр. академика Лаврентьева, 3, Институт неорганической химии им А.В. Николаева, доктор химических наук, главный научный сотрудник. E-mail:
fed@niic.nsc.ru
Orcid:

Список литературы
1. Phonon thermal conductivity of monolayer MoS2 and nanoribbons / X. Liu, G. Zhang, Q.-X. Pei, Y.-W. Zhang // Applied Physics Letters. – 2012. – Vol. 103, iss. 13. – P. 133113–1–133113–5.

2. Дмитриев А.В., Звягин И.П. Современные тенденции развития физики термоэлектрических материалов // Успехи физических наук. – 2010. – Т. 180, № 8. – С. 821–838. – doi: 10.3367/UFNr.0180.201008b.0821.

3. Huang W., Da H., Liang G. Thermoelectric performance of MX2 (M=Mo,W; X=S,Se) monolayers // Journal of Applied Physics. – 2013. – Vol. 113, iss. 10. –

P. 104304–1–104304–7.

4. Doping effect on thermoelectric properties of MoS2 [Electronic resource] / H. Guo, T. Yang, P. Tao, Z. Zhang. – 2013. – URL: http://arxiv.org/pdf/1212.3394.pdf (accessed 20.12.2014).

5. Guha Thakurta S.R., Dutta A.K. Electrical conductivity, thermoelectric power and hall effect in p-type molybdenite (MoS2) crystal // Journal of Physics and Chemistry of Solids. – 1983. – Vol. 44, iss. 5. – P. 407–416.

6. Калихман В.Л., Уманский Я.С. Халькогениды переходных металлов со слоистой структурой и особенности заполнения их бриллюэновой зоны // Успехи физических наук. – 1972. – Т. 108, вып. 3. – С. 503–528. – doi: 10.3367/UFNr.0108.197211d.0503.

7. Guo H., Yang T., Zhang Z. High pressure effect on structure, electronic, and thermoelectric properties of MoS2 // Journal of Applied Physics. – 2013. – Vol. 113, iss. 1. – 013709–1–013709–7.

8. Structure and electronic properties of MoS2 nanotubes / G. Seifert, H. Terrones, M. Terrones, G. Jungnickel, T. Frauenheim // Physical Review Letters. – 2000. – Vol. 85, iss. 1. – P. 146–149.

9. Федоров В.Е. Халькогениды переходных тугоплавких металлов. Квазиодномерные соединения. – Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1988. – С. 147–150.

10. Kirby R.D., Fagerquist R.L. Metastable conduction states in Mo2S3: pulse conductivity and thermoelectric power // Physical Review B. – 1988. – Vol. 38,

iss. 6. – P. 3973–3985.

 
Просмотров аннотации: 2048
Скачиваний полного текста: 2288
Просмотров интерактивной версии: 0